报告题名氮砷化铟镓（锑）砷化镓高电子移动率电晶体高.PDFVIP

報告題名： 氮砷化銦鎵 (銻 )/砷化鎵高電子移動率電晶體高熱穩定 特性之研製 作者：莊家豪、張育銓、劉柏谷 系級：電子四甲 學號：D9465663、D9428469、D9422462 開課老師：李景松 老師 課程名稱：化合物半導體元件 開課系所：電子工程系 開課學年：97學年度 第一學期 氮砷化銦鎵(銻)/砷化鎵高電子移動率電晶體 高熱穩定特性之研製 摘要 本專題中，我們藉由銻原子當做介面活化劑研究氮砷化銦鎵 砷化鎵高電子/ 移動率電晶體之特性。其氮砷化銦鎵通道是藉由分子束磊晶 (MBE)方式成長，這 是第一次研究成功混入銻原子來提高其特性。藉由銻原子當做介面活化劑的氮砷 化銦鎵砷化鎵高電子移動率電晶體有非常良好的高熱穩定特性，包括了其熱門/ 檻係數 (∂V /∂T只有) -0.807 mV/K和高溫線性 (∂GVS/∂T也只有) -0.053 mV/K ，而且 th 成功達成改善晶格缺陷品質還有增加了載子限制的能力在氮砷化銦鎵砷化鎵異/ 質結構中。由實驗結果可知，藉由銻原子當做介面活化劑的氮砷化銦鎵 砷化鎵/ 高電子移動率電晶體證明了其有最大外質轉導值 94 (109) mS/mm 在 450 (300) K的時候，這說明了其高熱穩定特性的表現。 關鍵字：氮砷化銦鎵 砷化鎵，介面活化劑，銻。/ 1 逢甲大學學生報告 ePaper(2008 年) 氮砷化銦鎵(銻)/砷化鎵高電子移動率電晶體 高熱穩定特性之研製 目錄 摘要 １ 目錄 ２ 圖目錄 ４ 第一章 簡介 ５ 第二章 HEMT 之基礎 ７ 2-1 HEMT簡介 ７ 2-2 HEMT 結構層介紹 ９ 第三章 元件結構與製程 １２ 3-1 元件結構 １２ 3-2 元件製程 １３ 3-2-1 樣本定位 １３ 3-2-2高台絕緣 １３ 3-2-3源極與汲極歐姆接觸組成 １４ 3-2-4閘極蕭特基接觸組成 １４ 2 逢甲大學學生報告 ePaper(2008 年) 氮砷化銦鎵(銻)/砷化鎵高電子移動率電晶體 高熱穩定特性之研製 第四章 實驗數據與討論 １６ 4-1霍爾量測 １６ 4-2 I-V 特性分析 １７ 4-3閘汲極兩端斷路特性分析 １９ 4-4外質轉導和汲極電流與閘極電壓溫度特性分析 ２０ 4-5最大轉導溫度特性分析 ２２ 第五章 結論 ２４ 參考資料 ２５ 3 逢甲大學學生報告 ePaper(2008 年) 氮砷化銦鎵(銻)/砷化鎵高電子移動率電晶體 高熱穩定特性之研製 圖目錄 圖(一) The device cross-section of the proposed InGaAsN(Sb)/GaAs HEMT. 圖(二) The common-source I-V characteristics of the studied device at 300 and 450 K. 圖(三) The two-terminal off-state gate-dra