高功率底发射VCSELs的制作与特性研究-光学精密工程.PDF

第 12 卷 　第 5 期 　 光学 精密工程 Vol . 12 　No . 5 2004 年 10 月 　　 　Optics and Precision Engineering 　　 Oct . 2004 ( ) 文章编号 　1004924X 2004 高功率底发射 V CSEL s 的制作与特性研究 1 ,2 1 ,2 1 1 1 1 ,2 孙艳芳 ,金珍花 ,宁永强 ,秦 　莉 ,晏长岭 ,路国光 , 1 ,2 1 1 3 3 3 套格套 ,刘 　云 ,王立军 ,崔大复 ,李惠青 ,许祖彦 ( 1. 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 激发态物理重点实验室 ,吉林 长春 130033 ; 2 . 中国科学院 研究生院 ,北京 100039 ;3 . 中国科学院 物理所 , 北京 100080) 摘要 :研究制作了大面积底发射氧化限制面发射激光器 , 并分析了器件特性 。通过增加有源区面积 , 改进制作工艺 ,采 用 Al O 作钝化膜和多层复合 HfO 作增透膜等方法 ,提高了激光器输出功率 。分析了最大输出功率与有源区直径和注 2 3 2 μ μ 入电流之间的依赖关系 。结果表明:有源区直径分别为 500 m 和 600 m 的单管 , 室温下均达到连续输出功率1. 95 W , 这也是 目前国际上所实现的单管室温连续输出最高功率 ; 实验所得最大输出功率与有源区直径和注入电流之间的依赖 μ 关系与理论计算所得结果一致 。并特别讨论了直径 200 m 的器件的近场和远场光强分布 ,获得单横模工作 。 关 　键 　词 :VCSEL s ; 底发射 ; 980 nm ; 输出功率 ; 近场和远场 中图分类号 : TN248. 1 　　文献标识码 :A Fabrication and experimental characterization of high power bottomemitting VCSELs SUN Yanfang1 ,2 , J IN Zhenhua1 ,2 , N IN G Yongqiang1 , Q IN Li1 , YAN Changling1 , LU Guoguang1 ,2 , TAO Get ao 1 ,2 , L IU Yun1 , WAN G Lij un1 ,CU I Dafu3 , L I Huiqing3 , XU Zuyuan3 ( 1. L ab. of Ex cited S t ates Processes , Changch u n I ns t it ute of Op t ics , Fi ne M echanics an d Phys ics , Chi nese A cademy of S ciences , Changch u n 130033 , Chi na ; 2 . Gr