第一章硅的晶体结构.ppt

第一章 硅的晶体结构 1.1 硅晶体结构的特点 1.2 晶向、晶面和堆积模型 1.3 硅晶体中的缺陷 1.4 硅中杂质 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度(自学) 二、本征半导体和本征激发 本征半导体：没有杂质和缺陷的半导体。 T=0K时，价带中的全部量子态都被电子占据，而导带中的量 子态都是空的，也就是说，半导体中共价键是饱和的、完整 的。 T＞0K时，就有电子从价带激发到导带，同时价带中产生空 穴，这就是所谓的本征激发。由于电子和空穴成对产生，导 带中的电子浓度n0等于价带中的空穴浓度p0。 三、杂质半导体 掺入杂质的半导体称为杂质半导体。半导体电阻率的大 小与所含杂质浓度密切相关。 杂质原子进入半导体后，有两种方式存在： 一种方式是杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称这种杂质为间隙式杂质。形成该种杂质时，要求其原子比晶格原子小； 另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称这种杂质为替位式杂质。形成该种杂质时，要求其原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较接近，而且二者的价电子壳层结构也比较接近。 替位式杂质 间隙式杂质 四、施主杂质、施主能级(举例Si中掺P，Si:P) 电离结果：导带中的电子数增加了，这也是掺施主的意义所在 主要依靠导带电子导电的半 导体称为电子型或n型半导体 把被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级。施主能级靠近导电底部 施主杂质释放电子的过程称为施主电离。施主杂质未电离时是中性的称为束缚态或中性态；电离后成为正电中心，称为施主离化态。使电子挣脱施主杂质束缚成为导带电子所需要的能量称为施主电离能。 n型杂质 五、受主杂质、受主能级(举例Si中掺B，Si:B) 电离结果：价带中的空穴数增加了，这也是掺受主的意义所在 主要依靠价带空穴导电的半 导体称为空穴型或p型半导体 把被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。受主能级靠近价带顶部 * Si晶体结构 晶向、晶面 缺陷、杂质 本章重点 1.1 硅晶体结构的特点 1.1.1 晶胞 一、基本概念 晶格：晶体中原子的周期性排列称为晶格。 晶胞：晶体中的原子周期性排列的最小单元，用来代表整 个晶格，将此晶胞向晶体的四面八方连续延伸，即 可产生整个晶格。 晶格常数：晶胞与晶格的关系 可用三个向量a、b及c来表示，它 们彼此之间不需要正交，而且在 长度上不一定相同，称为晶格常 数。每个三维空间晶体中的等效 格点可用下面的向量组表示： R＝ma + nb + pc 其中m、n及p是整数。 单晶体：整个晶体由单一的晶格连续组成的晶体。 多晶体：由相同结构的很多小晶粒无规则地堆积而成的晶 体。 简单立方晶格：在立方晶格的每一个角落，都有一个原子，且 每个原子都有六个等距的邻近原子。长度a称为晶格常数。在周 期表中只有钚(polonium)属于简单立方晶格。 体心立方晶格：除了角落的八个原子外,在晶体中心还有一个 原子。在体心立方晶格中，每一个原子有八个最邻近原子。钠 (sodium)及钨(tungsten)属于体心立方结构。 x z y x z 二、三种立方晶体原胞 面心立方晶格:除了八个角落的原子外，另外还有六个原子在 六个面的中心。在此结构中，每个原子有12个最邻近原子。 很多元素具有面心立方结构，包括铝(aluminum)、铜(copper) 、金(gold)及铂(platinum)。 z 1.1.2 共价四面体 一、硅的晶胞 处在立方体顶角和面心的原子构成一套面心立方格子， 处在体对角线上的原子也构成一套面心立方格子。因此可以 认为硅晶体是由两套面心立方格子沿体对角线位移四分之一 长度套构而成的。这种晶胞称为金刚石型结构的立方晶胞， 如下图所示。 金刚石型结构特点： 每个原子周围都有四个最近邻的原子，组成一个正四面 体结构。这四个原子分别处在正四面体的顶角上，任一顶角 上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子所共 有，组成四个共价键，它们之间具有相同的夹角（键角） 109°28′。 二、共价四面体 金刚石型结构的结晶学原胞 是立方对称的晶胞，可以看成是两个面心立方晶胞沿立 方体的空间对角线互相位移了1／4的空间对角线长度套构而 成的。原子在晶胞中排列的情况是：八个原子位于立方体的 八个角顶上，六个原子位于六个面中心上，晶胞内部有四个 原子。立方体顶角和面心上的 原子与这四个原子周围情况不 同，所以它是由相同原子构成 的复式晶格。 晶格常数 Si：