二元金属氮化物薄膜已经被广泛运用於工业界,用来作为保护.PDFVIP

摘要 摘要 摘要摘要 二元金屬氮化物薄膜已經被廣泛運用於工業界，用來作為保護 基材的薄膜和微電子業的金屬層，主要是因為它具有高硬度，好的 抗磨耗能力，以及耐腐蝕能力，隨著科技快速的進展，對於薄膜的 品質要求也越來越高。在近十年來，三元的氮化物薄膜，例如:氮化 鈦鋯、氮化鈦鋁、氮化鈦矽，開始被廣泛的研究，研究多一個元素 的添加對於薄膜性質的影響。 在這次的研究中，我們會利用非平衡磁控濺鍍法於矽基材上鍍 上一層具有奈米晶粒的氮化鈦鋯薄膜，並藉由改變鈦靶和鋯靶材的 離子電流來改變薄膜鈦鋯比例，鈦靶的電流從0.16安培循序增加到 0.32 安培,鋯靶的電流也循序從 0.32 安培調降到 0.16 安培，並將 兩個靶的總電流固定在0.48安培。濺鍍完成的試片將會利用各種儀 器與方法進行性質與結構的觀察，我們會利用 X 光繞射光譜技術來 觀察結構，並利用此結果計算出晶粒的尺寸與結構因子，利用低略 角 X 光繞射光譜的結果來計算出薄膜的晶格參數，試片厚度和橫截 面結構將會利用場發射掃描式電子顯微鏡觀察並量測得知，再利用 拉塞福背向散射光譜技術量測出薄膜的成分比與堆積因子。硬度的 III 量測將使用奈米硬度儀。另外，將使用原子力顯微鏡來得知試片表 面的粗糙度，並且使用四點探針進行電阻係數的量測。 IV Abstract Binary metal nitride films has been commonly used in industry as protective coatings and metallization layer in microelectronics due to its high hardness, better wear resistance, and excellent corrosion resistance. With the considerably fast-progressing development in technology, the quality demands of which goes higher. In the past decade, ternary nitride films, such as TiZrN, TiAlN, TiSiN , have been widely researched for the addition of another element enhances the properties of which. In this study, the nanocrystalline TiZrN thin films were deposited on Si(100) wafer using unbalance magnetron sputtering. The current of Titanium target and that of zirconium target changed from 0.16 to 0.32 A and thus changed the ratio of Ti to Zr, the total target current of which was fixed at 4.8 A. The microstructure of the TiZrN films was chara