磁控溅射镀膜及膜厚控制研究.docVIP

磁控溅射镀膜及膜厚控制研究 　　【摘 要】 磁控溅射镀膜技术是一种广泛应用的沉积镀膜方法，其设备和工艺的成熟促成了工业化生产的局面。但其在稳定、控制运行仍有相当大的需求空间。本文根据自己长年在设备安装、调试、维护的经验，对磁控溅射镀膜、镀膜工艺流程特别是镀膜技术中膜厚控制有详细的体会。 　　【关键词】 磁控溅射 镀膜工艺 膜层厚度 靶位 设备 　　1 引言 　　1.1 溅射 　　溅射是指用荷能力子通常是气体正离子轰击物体从而引起物体表面原子从母体中溢出的现象。如果此时溢出的离子轰击阴极靶材将其原子等粒子溅出的粒子沉积在阳极基板上形成薄膜。利用溅射可以进行溅射镀膜。与传统的热蒸发（如阻抗加热蒸发和电子枪加热蒸发）相比.溅射镀膜具有可以镀制任何材料（特别是高熔点材料）。膜层致密、附着牢因，镀膜过程易于控制，镀膜速率稳定等一系列优点。 　　1.2 溅射镀膜分类 　　（1）利用直流辉光放电的直流溅射； 　　（2）利用聚束离子来轰击靶材料的离子束溅射； 　　（3）利用靶面环状磁场控制辉光放电的磁控溅射。磁控溅射不仅保留了溅射镀膜的优点，而且还具有镀膜速度快的优势。 　　1.3 磁控溅射 　　磁控溅射就是在二极溅射中增加一个平行于靶表面的封闭磁场，借助于靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域来增强电离效率，增加离子密度和能量，从而实现高速率溅射的过程。从本世纪七十年代起，磁控溅射开始大量应用于科学研究和工业生产的镀膜制备中。一些对制备仁艺和条件有极严格要求的薄膜。加用于X射线光学，每层膜厚在nm量级，膜层达数百层的多层膜也在用磁控溅射研制。 　　2 磁控溅射镀膜设备及工艺流程 　　（1）设备主要由真空室、真空系统、磁控溅射源、加热及温控系统、进气系统、膜厚测量系统、残余气体分析系统、工件转架及遮挡屏等组成。1）真空室：合理的结构，尺寸满足1300mm×1100mm基板成膜工艺流程；壳体材料选用AL，SUS304材质；厚度满足真空容器要求（10mm）；冷却（腔体外壁水道）；真空密封（磁流体动密封、硅橡胶静密封）等。2）真空系统：为建立符合工艺要求的超高真空（极限真空为8×10-5Pa）环境，真空抽气系统由低温泵（U16，U12，U8）+机械泵（DRPL1200）构成，低温泵抽速可调，在分压的过程中可减少氩气的消耗量。3）磁控溅射源：一般采用空间平面磁控溅射靶，其结构紧凑，靶尺寸容易设计较大，从而扩大溅射沉积的均匀区。溅射源由阴极靶、溅射电源组成。磁控溅射源配置的优劣直接关系到薄膜的均匀性、致密性，功率效率和靶材利用率等指标。4）加热及温控系统：采用加热灯管与热电偶相结合的方式，最高温度可达400℃。5）进气系统：进气系统负责充气，使真空室的气压达到动态平衡。要求真空室真空度恒定、送气量平稳。6）膜厚测量系统：可采用在线式石英晶体膜厚测量仪检测薄膜厚度，溅射探头利用镀金晶片作为厚度检测传感器，结构简单、体积小，可用于监控金属、半导体或介质薄膜的厚度。7）残余气体分析系统：高真空状态下利用质谱仪实现对真空室内气体成分进行分析，以了解环境中存在的残余气体分子，监视镀膜本底环境。8）水冷系统：设备中真空泵、溅射靶等部分在运行过程中会产生热量，采用水冷的方式对各个发热部件进行冷却。9）控制系统：以PLC作为系统控制核心，对设备进行适时监控。PLC与嵌入式工控机连接，实现数据交换，对设备进行操作。 　　（2）工艺流程：在镀膜过程中，工艺的选择对薄膜的性能具有重要的影响，根据磁控溅射技术原理，结合设备的实际应用，特制定工艺流程。 　　从图1中可以看到，从成膜-清洗-涂光阻胶-烘干-显影-曝光-蚀刻-去光阻胶-检查，一个完整的磁控溅射镀膜工艺的工作流程。 　　1）基片清洗：薄膜基片的清洗方法主要根据薄膜生长方法和薄膜使用目的选定。清洗的主要目的是去除表面污物和化学污物，还应考虑表面的粗化。 　　2）抽本底真空：本底真空一般应控制在2×10-4Pa以上，以尽量减少真空腔体内的残余气体，保证薄膜的纯洁度，残余气体由质谱仪监测。 　　3）加热：烘烤的作用包括：基片表面除气取水，提高膜—基结合力；消除薄膜应力，提高膜层粒子的聚集度。一般选择在150～200℃之间。 　　4）氩气分压：直流溅射建立满足辉光放电的气压条件，一般选择0.01～1Pa范围内，射频溅射相对于直流溅射更容易起辉，压力更低； 　　5）预溅射：对于靶材材料易氧化，在表面形成一层氧化膜，预溅射是通过离子轰击的方法去除靶材氧化膜，以及其他非靶材物质。轰击出来的粒子附着在遮挡屏上，通过定时清洗清除出真空室。预溅射功率根据溅射功率决定，一般略高于溅射功率，时间由靶材的材料及氧化程度决定。 　　6）溅射：溅射建立在等离子体的条件下，氩气电离后形成的