硫化压力对FeS_2薄膜结构和光学性能的影响.pdfVIP

　第 20 卷第 12 期 半　导　体　学　报 . 20, . 12 V o l N o 　1999 年 12 月 . , 1999 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S D ec 硫化压力对 FeS2 薄膜结构和光学性能的影响 徐文雷　孟　亮　刘茂森 (浙江大学材料科学与工程学系　杭州　310027) 摘要　通过磁控溅射法制备纯 Fe 膜, 再在 S 气氛中用热硫化法使其转变成为多晶 FeS2 薄膜, 硫化压力分别为 40、60、80 和 100 , 并研究了硫化压力对 薄膜的结构和光学性能的影 kPa FeS2 响. 研究发现, 在 80kPa 条件下, 结晶状况达到最佳, 光吸收系数较高, 禁带宽度可达到 0 9eV. PACC: 7280G, 8115, 6110, 7865 1　引言 ( 作为一种具有禁带宽度 ≈ 095 和较高光吸收系数 当波长 1 时, 吸收 FeS2 E g eV m 系数 105 - 1 ) 的半导体材料[ 1～ 3 ] , 在光电化学和光伏电池应用中越来越受到广泛的重 cm [ 4, 5 ] [ 6 ] 视, 如被应用于太阳能电池材料 、制氢的去极化阳极材料 和高能量密度电池的阴极材 [ 7 ] [ 8 ] 料 等, 近年来还探讨了它与生命起源的关系 . 地球上其组成元素储量丰富、无毒, 具有很 好的环境相容性. FeS2 薄膜的制备方法主要有; 热蒸镀法[ 9～ 11 ] , 金属有机化学气相沉积 ( ) 法[ 12～ 14 ] , 低温化学法[ 15 ] , 喷雾热解法[ 16, 17 ] , 热硫化法[ 18～ 21 ] , 闪蒸法[ 22, 23 ] , 等离子 M OCVD [ 24 ] [ 25, 26 ] 体硫化法 以及反应溅射法 等. 薄膜制备中的工艺参数对薄膜的性能有显著的影响, 决定了薄膜的化学计量组成、晶体结构的完整性和薄膜的物理性能. 本文用磁控溅射法在载玻片上制备纯 Fe 膜, 然后经热硫化制备了多晶 FeS2 薄膜, 并研 究了硫化压力对薄膜结构和光学性能的影响. 2　实验方法 采用 15 ×15 2 的载玻片作为镀膜基片, 在铬酸溶液中浸泡 30 后用去离子水煮沸 mm