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TC6354B-深圳市富满电子集团股份有限公司.PDF

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TC6354B-深圳市富满电子集团股份有限公司

深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC6354B (文件编号:SCIC1322) PWM 控制功率开关 概述 TC6354B是内置高压功率MOSFET 的电流模反激PWM 控制芯片,适用于10W 以内的全电压范围离线式反激 开关电源,具有高性能、低待机功耗、低成本的优点。 为了保证芯片正常工作,TC6354B针对各种故障设计了一系列完善的具有自动恢复功能的保护措施,包括软启 动、VDD 欠压锁定保护(UVLO)、过压保护(OVP )及箝位、逐周期电流限制(OCP )、过载保护(OLP )和 图腾柱输出驱动高箝位等,特别对音频噪声和FM 干扰进行了处理。芯片内置的频率抖动和图腾柱栅极软驱动技术 可容易地获得良好的EMI 性能。 特点  可外部调节的MOSFET驱动能力,满足对功率输出,EMI及效率/温升的不同要求  内置频率抖动功能,改善系统的EMI特性  实现10W以下“No Y-CAP”系统设计  超低的空载功耗  内置4ms软启动功能  过压保护(OVP)  内置OCP补偿模块,实现优越的OCP特性  目前提供DIP8封装形式,符合RoHS标准 应用  “No Y-CAP” 电源  线性电源替代  DVD/DVB/机顶盒电源  白色家电电源  电脑/服务器/液晶电视待机电源 引脚图及说明 引脚图 序号 名称 引脚说明 1 VDD-G 内部栅极驱动电源端 2 VDD 电源端 VDD-G 1 8 GND 3 FB 反馈输入端 VDD 2 7 GND 4 SENSE 电流检测输入端 FB 3 6 DRAIN 5 DRAIN 内置MOS 漏极端 SENSE 4 5 DRAIN 6 DRAIN 内置MOS 漏极端 DIP-8 (TC6354B ) 7 GND 地 8 GND 地 第 1 页 共 7 页 Version 1.0 深圳市富满电子有限公司 SHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. TC6354B (文件编号:SCIC1322) PWM 控制功率开关 典型应用电路 L1 1000uH

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