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《半导体激光器设计理论III. 量子理论》 北京大学物理学院郭长志(cslczguo@tsinghua.edu.cn, LT3-1A-1.doc, 29 Sept. 2011) 半导体激光器中的激光模式在波导中的形成和传播过程基本上用经典电磁场的理论和方法即可成功解决，但半导体激光器中激光的产生和吸收过程是半导体中不同能带之间或同一能带内的电子在不同能态之间受到某种干扰或激发而发生的量子辐射跃迁过程。在理论上对这种辐射场与实物相互作用过程在不同情况下有三种不同的观点和处理方法： 一、经典理论方法：从电磁理论的观点看，任何带电粒子一旦受到加速，例如振动或转弯，必将产生电磁辐射。因此，可以麦克斯威方程组为基础，以振动电偶极子的电极化矢量(polarization vector) P 作为电磁波动方程的源项(source term)，算出其所产生的电磁辐射。这方法成功应用于射频天线理论与设计，最近也成功应用于计算半导体激光器、纳米发光和激光器件中的自发发射和自发发射因子等的分析计算。 二、半经典理论方法：仍用上述电磁理论处理光的传播模式，但用量子力学的理论和方法为振动电偶极子qer(t) 或电极化矢量P(t) 作微观的描述。即用量子力学方法处理电子的能态、能带、和在电磁场作用下的跃迁等过程的几率和效率等。由于半导体的能带理论计算基本上限于单电子近似，即将电子看成是在一定的平均势能周期场中独立运动的半定量、半经验的近似计算方法。其不足之处再用多体理论，例如二次量子化等方法，在此基础上做些必要的修正和补充。将同能带中电子与电子、或空穴与空穴之间的库伦相斥作用、使能带收缩的能隙重整化作用、以及导带电子与价带空穴之间的库伦相吸作用所形成的激子效应等。这些建立在单电子近似基础上的能带理论所忽略的多体效应，是更深入研究固体、超导体、半导体等的各种光电性质所不可忽视的重要效应。即使不涉及能带结构改变的多体过程，例如俄歇复合的三体过程，也可作为多体问题用二次量子化方法成功处理。 在半经典理论中还分为量子力学理论和量子统计力学理论两种，前者只适于处理激光器在阈值附近的线性增益等线性量子过程，后者的密度矩阵理论则还可处理激光器阈值以上直至激光饱和、增益抑制、谐波产生、多光子跃迁、上下光频转换等非线性量子过程。其局限性是无法阐明和处理所谓“自发发射”的物理根源。 三、全量子理论方法：对光波和电子波皆进行量子化。这是量子光学理论的基本方法。在激光领域成功处理了自发发射、超辐射、线性和非线性增益、量子噪音、混沌、压缩态等深入课题。虽然全量子理论是处理光子与电子系统之间相互作用的最完善的理论和方法，而且所获得的研究成果已经大为拓宽了对光子和电子系统的许多基本微观现象的视野和认识，但目前许多还不太容易得到可与器件性能的实验结果相比较和可作为器件设计依据的定量结果。[1.1~1.9] 第一章 半导体中的电子能态 (一) §1. 能带论的基础 从量子理论的观点看，光的吸收和产生都是由于电子在光场或真空场作用下在两个不同电子能态之间跃迁的过程。因此必须分别知道发光介质中电子能态的分布或结构，和引起电子离开原能态跃迁到其它电子能态的原因和后果，再将这两方面的知识结合起来，才能够认识和利用这些过程，并设计制造其相应的器件。 电子能带论是研究电子在周期势能场中运动规律的理论。在早期即已获得许多关于理想固体能带结构的原则性和具有指导意义的许多基本规律性认识，但在二十世纪五、六十年代起，由于固体材料的生长工艺、性能测量方法、以及电子计算机的迅速发展，才有可能发展各种计算方法与实验结果相结合，对具体固体，包括金属、半导体、绝缘体进行电子能带结构的数值计算。目前已可得出作为能带工程、器件设计基本依据的包括均匀固体、异质结构、应变结构、纳米结构、和低维结构等、各种电子能谱的基本信息和数据。 晶体是由原子构成的单元作周期性排列以一定的结合力所形成的固体。 由不同原子分别组成带正、负电荷的离子作周期排列，以库伦吸引力和离子实的抗压互斥力形成离子晶体。因无“自由”流动的带电粒子，故为非导体或绝缘体。 由原子构成的分子作周期排列，以范德瓦力和分子实的抗压互斥力形成分子晶体。也是由于没有“自由”流动的带电粒子而为非导体或绝缘体。 由相同原子以其价电子的粘合力和离子实的抗压互斥力形成金属，其全部价电子的基态能级所组成的能带未全部被占满，因而能态最高的电子非常自由，非常容易受外加微小电场的作用而形成定向的流动构成电流，因而是良导体。 由相同的VI族原子或III-V族,II-VI族等不同原子,以其共价键电子的键合力和离子实的抗压互斥力形成半导体,其导电性视其全部共价键电子全被占满的基态能级所组成的价带,与其全部共价键电子的最低激发能级所组成的导带之间的禁带或带隙的宽度