光阻对比佳.ppt

Figure 13. 半導體製造技術第 13 章微影:氣相塗底至軟烤 課程大綱 解釋微影之基本觀念，包括製程、CD、光頻譜、解析度及曝光度。 討論正及負雕像術之差異。 說出並描述微影8個基本步驟。 解釋微影前晶圓如何做準備。 描述光阻及討論光阻的物理性質。 討論傳統i-line光阻的化學性及應用。 描述深紫外光 (DUV) 光阻的化學性及優點。 解釋光阻如何用於晶圓製造。 討論軟烤的目的及解釋其方法。 晶圓製作流程 微影簡介 微影觀念 光罩 標線板 臨界尺寸世代 光譜 解析度 重疊精確 製程容許度 微影的標線板和光罩 光阻之三維圖案 部分電磁頻譜 微影曝光用重要的UV波長 光罩重疊精確的重要性 微影製程 負雕像 在晶圓表面呈現的圖案和光罩相反 光阻曝光後變成不溶解且鍵結硬化 發展出負光阻 正雕像 在晶圓表面的圖案和光罩上的相同 在顯影液中變得可溶解且是柔軟的 發展出正光阻 負雕像 正雕像 光罩與光阻之關係 亮場與暗場光罩 微影之8個步驟 微影之8個步驟 微影線路系統 氣相 微影的第一個步驟 : 提升光阻和晶圓表面之附著力 去水烘烤 以hexamethyldisilazane (HMDS) 進行塗底 晶圓表面的清洗及乾燥是一定要做的 旋轉塗佈 軟烤 軟烤的特性： 改善附著性 提升晶圓上光阻的均勻性 在蝕刻中有較佳的線寬 去除光阻內大部分溶劑 溫度在90至100℃之間 時間為30秒 於熱墊板上加熱 接著在一冷墊板上進行冷卻步驟 對準及曝光 曝光後烘烤 (PEB) 需要深紫外線光阻 在熱墊板上溫度在100至110℃之間 光阻曝光後烘烤 對於傳統光阻已是標準的步驟 光阻顯影 硬烤 顯影後的熱烘烤 使剩餘的光阻溶劑揮發 提升光阻對晶圓表面的附著力 硬烤溫度約為120至140℃，其溫度較軟烤高 顯影後檢視 氣相塗底 晶圓清洗 去水烘烤 晶圓塗底 塗底技術 混拌噴灑及旋轉 噴灑方法及旋轉 氣相塗底及去水烘烤 由於表面污染造成較差光阻附著之影響 HMDS混拌噴灑及旋轉 HMDS熱平板去水烘烤及氣相塗底 在晶圓製作中使用光阻的目的 將光罩的圖案轉移至晶圓表面的頂層 在後續製程中保護光阻下層的材質 光阻的改善 1. 較佳的影像精確度 (解析度)。 2. 在晶圓表面有較佳的附著性。 有較佳的均勻性。 增加製程容許度(對製程變化不敏感)。 旋轉塗佈 光阻 光阻形式 負和正光阻 光阻物理性質 傳統的I-Line光阻 負I-Line光阻 正I-Line光阻 深UV(DUV)光阻 光阻塗灑方法 光阻形式 兩種光阻形式 正光阻 負光阻 CD值 傳統光阻 深UV光阻 製程應用 非關鍵層 關鍵層 負和正光阻 負光阻 晶圓影像和原來光罩圖案相反 負光阻曝光而硬化變得不可溶解 正光阻 晶圓影像和原來光罩圖案相同 正光阻曝光時變柔軟且易溶解 解析度 亮場光罩及暗場光罩 光阻物理性質 解析度 對比 靈敏度 黏性 附著性 抗蝕刻性 表面張力 儲存及操作 污染物及微粒 光阻對比 表面張力 光阻的組成 負光阻之交互鏈結 在正i-line光阻中PAC作為溶解抑制者 正i-line光阻對比特性佳 DUV及汞燈激發頻譜 化學倍增式 (CA) DUV光阻 化學倍增式DUV光阻之曝光步驟 光阻旋轉塗佈的4個步驟 微影之自動化晶圓線路系統 光阻噴灑管口 光阻旋轉速度曲線 真空熱平板之軟烤 軟烤光阻溶液含量對於溫度之關係 光阻對比差 斜的邊 膨脹 對比差 光阻 薄膜 光阻對比佳 陡的邊 未膨脹 對比佳 光阻 薄膜 圖 13.16 受低分子力之低表面張力 受高分子力之高表面張力 圖 13.17 添加物： 化學物可控制光阻材料特殊特性 溶劑： 使光阻為流體形式 感光劑： 光阻材料之光敏成分 樹脂： 聚合物混合物作為黏合劑用，使光阻具機械和化學特性 圖 13.18 曝光區域變成交互鏈結且抗顯影化學物質 在顯影液中未曝光區域可溶解 曝光前之光阻 曝光後之光阻 顯影後之光阻 UV 氧化物 光阻 基板 交互鏈結 未曝光 曝光 可溶解 圖 13.19 曝光之光阻在顯影液中可溶解 包含PAC之未曝光光阻 在顯影液中維持交互鍵 結及不可溶解 曝光前之光阻 曝光後之光阻 顯影後之光阻 UV 氧化物 光阻 基板 可溶解之光阻 曝光 未曝光 PAC 圖 13.20 正光阻： 陡側邊 不膨脹 對比佳 薄膜 光阻 圖 13.21 *汞燈在248nm波長時強度太弱，不適於DUV微影應用，激能雷射如左圖所示，對於特定DUV波長有更強的能量。 (Used