内藏肖特基二极管双N沟道MOSFET.PDF

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2017-05-27 发布于天津
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内藏肖特基二极管双N沟道MOSFET

内藏肖特基二极管双 N 沟道 MOSFET ELM341503A-N ■概要 ■特点 ELM341503A-N 是 N 沟道低输入电 Q2 Q1 容，低工作电压，低导通电阻的大电 ·Vds=30V ·Vds=30V 流双沟道 MOSFET。 ·Id=9A(Vgs=10V) ·Id=8A(Vgs=10V) ·Rds(on)15.8m Ω(Vgs=10V) ·Rds(on)21.0m Ω(Vgs=10V) ·Rds(on)20.0m Ω(Vgs=4.5V) ·Rds(on)32.0m Ω(Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值如没有特别注明时, Ta=25 ℃ 规格范围项目记号单位备注 Q2 Q1 肖特基漏极 - 源极电压 Vds 30 30 V 栅极 - 源极电压 Vgs ±20 ±20 V Ta=25 ℃ 9 8 漏极电流（定常） Id A Ta=70 ℃ 7 6 漏极电流（脉冲） Idm 35 30 A 1 崩溃电流 Ias 29 21 A 持续崩溃能量 L=0.1mH Eas 43 23 mJ 反向电流 Vr=25V Ir 0.05 mA 正向电压 If=1A Vf 0.45 V Tc=25 ℃ 2.0 容许功耗 Pd W Tc=70 ℃ 1.28 结合部温度及