双管正激中二极管反向恢复的研究和抑制.PDF

○技术交流 电源技术 双管正激中二极管反向恢复的研究和抑制 ■连云港杰瑞电子有限公司 孙 涛 徐大林 摘 要：在大功率场合，双管正激副边二极管承受电压和电流应力大，其上的反向恢复问题比 较严重。本文研究了整流二极管和续流二极管的反向恢复电路等效模型，从理论上指出：续流二极 管的反向恢复问题要远严重于整流二极管。最后，本文研究了一种CDD吸收电路，仿真和实验证明 该吸收电路具有良好的抑制效果。 关键词：双管正激；反向恢复；CDD吸收 双管正激具有很多的优点[1] ，比如：原边开关管的电压应 二极管在正向导通期间，其注入PN 结的少数载流子具有 力低、无输入端的直通风险。但在高电压大功率输出场合，副 一定的寿命，当二极管两端的电压转换为负方向的速度很快 边二极管所承受的电压应力较大，存在严重的反向恢复问题。 时，载流子来不及复合而被反向抽过PN结，和PN结的结电容 这样，就限制了双管正激在大功率高电压输出场合的应用[1] 。 放电电流一起形成反向电流。该反向电流将在电路中形成电 为了解决二极管的反向恢复问题，多从下面两种方案出 流浪涌，并在寄生电感、电容的作用下产生电压尖峰振荡。 发[2] ：一是从器件本身出发，力图从根本上解决问题，例如碳 二极管的关断特性如图1所示。 化硅二极管研究；二是通过增加某些器件或辅助电路使得二极 在t -t 时间内，反向电流iR在减小，在线路寄生电感上的感 2 3 管的反向恢复得到软化。目前碳化硅二极管较高的应用成本 应电动势将与外加反向电压一起形成反向恢复电压尖峰VRM 。 限制了其普及应用；同时，传统的软化电路，如：RC吸收、 过大的VRM导致反向恢复损耗增加，并可能击穿二极管。 RCD 吸收和串联饱和电抗器等，都是有损吸收，其吸收电阻 或线圈上发热严重，降低了变换器的整体效率和可靠性。 2、双管正激副边二极管的反向恢复 在实验中，对于双管正激变换器，其副边续流二极管的 下面我们对双管正激变换器的副边整流二极管和续流二 反向恢复问题要严重于整流二极管。因此，有必要对双管正 极管的反向恢复过程进行分析。图2为双管正激变换器电路， 激副边二极管的反向恢复过程进行详细的研究。 运用电源等效原理对AB两点之前的电路进行等效[4] 。 [3] 1、二极管的反向恢复过程 为了简化分析过程，先做出以下几点假设： 1) S 和S 的开关速度足够快，在关断时忽略开关管结 1 2 电容的影响，认为副边电压由正向电压V 2 阶跃至-V 2 ，且 V =n ×Vin ；同样，在开通时由0阶跃至V 。 2 2 2)忽略变压器励磁电感，仅考虑漏感。 3)由于反向恢复时间很短，在分析时，将输出滤波电感的分布