基于电吸收调制晶体(EAM)的超短光脉冲特性研究-光子学报.PDF

29 7 光子学 报Vo 1. 29 No. 7 2000 7 ACTA P HOT ON ICA SINICA July 2000 ( EA M ) * 张　帆　伍　剑　林金桐 ( 66# , 100876) 数值模拟了两种形式的基于电吸收调制晶体( EAM ) 的超短光脉 源( 单EAM ) 和级 联EAM 形式) 的输出脉 宽度及消光比与外加反向偏压、射频信号幅度之间的变化关系. 数 值模拟结果表明, 在重复率为10GH 情况下, 对于单EAM 形式, 可以获得的最小脉宽大约为 13ps, 其消光比大于20dB, 脉 波型接近sech2 孤子波型; 对于级联EAM 形式, 我们得到了小 于5ps 的超短脉 , 消光比也较单EAM 形式有较大的提高. 因此, 单EAM 形式的超短脉 源可以满足20Gb/ s 的OT DM 系统需求, 也同样适合于超长距离的光孤子通信系统; 级联形 式EAM 可以满足40Gb/ s 的OT DM 系统光源需求. 电吸收调制晶体; 超短光脉 ; 高速光通信系统 0 2 ( OT DM ) , ( sech ) , . OT DM . 1/ 3 EAM , , 20dB , , 35 , . , OT - OT DM . DM : ( ML- , FRL-modelo cked fiber ring laser ) , ( SM LL-sem iconductor m odelocked laser ) / ; EAM 6 ( DFB/ EAM -DFB laser/ electroabsor ption m odu- , EAM lator ) ( GSLD-g ain . , sw itched semiconductor laser diode) . , OT DM , . 1 , , 1 . , 1 , , A EAM B , , , EAM ( T andem) . 2 . , DFB EAM * 863 计划资助项目( 编号: 863-3 17-04-13-99) 收稿日期: 1999—11—30 616 光子学 报　　　 29 1EAM . A EA M . B EA M Fig . 1T he EA M dev ice of ult rashort opt ical pulse. 3EA M ( T andem) . ( a) : ; : A Single EAM applicatio n B T andem ( EA M 1) ; ( b ) EA M 1 EA M applicat ion ( EAM 1 )