微空气桥隔离的自对准AlGaAsGaAs异质结双极晶体管-电子学报.PDF

第 11 期 电　　子 　　学 　　报 Vol . 28 　No . 11 　2000 年 11 月 ACTA ELECTRONICA SINICA Nov . 　2000 　 微空气桥隔离的自对准Al GaAs/ GaAs 异质结双极晶体管 严北平 ,张鹤鸣 ,戴显英 ( 西安电子科技大学微电子学研究所 ,西安 710071) 　　摘 　要 : 　利用微空气桥隔离和自对准技术成功地研制出了自对准结构的Al GaAs/ GaAs 异质结双极晶体管. 器件 μ μ ( ) 展现出良好的直流和高频特性. 对于发射极面积为 2 m ×15 m 的器件 ,直流电流增益大于 10 ,失调电压 Offsetvoltage 200mV ; 电流增益截止频率f T 大于 30 GHz ,最高振荡频率 f max约为 50 GHz . 关键词 : 　Al GaAs/ GaAs 异质结双极晶体管 ; 自对准结构 ; 微空气桥隔离 中图分类号 : 　TN3042 + 3 ; TN325 + . 3 ; TN322 + . 8 　文献标识码 : 　A 　文章编号 : (2000) Selfaligne d Al GaAs/ GaAs HB T with Microairbridge Isolation YAN Beiping ,ZHAN G Heming ,DAI Xianying ( ) Microelectronics Institute , Xidian University , Xi ′an 710071, China Ab stract : 　A microairbridge isolation technique has been developed and applied to the Al GaAs/ GaAs heteroj unction bipolar transistors. Selfaligned Al GaAs/ GaAs HBTs with excellent dc and microwave performance have been successfully realized. For the de vice with 2μ μ m ×15 m emitter ,a current gain more than 10 and an offset voltage of 200mV can be obtained ; the current gain cutoff frequency ,f T ,is higher than 30 GHz and the maximum oscillation frequency ,fmax ,is about 50 GHz . Key word s : 　Al GaAs/ GaAsHBT ;selfaligned structure ;microairbridge isolation 1 　引言 器件制造从限定发射区开始. 在光刻发射区后 , 电子束分