新型非易失性存储器的抗辐射能力研究进展.doc

新型非易失性存储器的能力进展 辜科，李平李威 （电子科技大学?电子薄膜与集成器件国家重点实验室?成都?610054） 了铁电存储器、磁性随机存储器、相变存储器和阻变四种新型非易失性存储器的抗辐射能力，总结了每种非易失性存储器的总剂量效应和单粒子效应并且总剂量效应和单粒子效应进行了分析得出了目前的非易失性存储器的抗辐射能力取决于存储单元以外的的抗辐射能力结论抗辐射的研究提供了参考。总剂量效应单粒子效应，抗辐射加固 The research progress of the radiation response of new non-volatile RAMs Yang, GU Ke, LI Ping, LI Wei (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Device, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China) Abstract The radiation response of several new Non-Volatile RAMs, namely FeRAM, MRAM, PCRAM and RRAM was investigated, and the Total Dose Effect and Single Event Effect of each kind of these new Non-Volatile RAMs was summarized and analyzed. A conclusion was drawed that the radiation response of these new Non-Volatile RAMs was determined by the radiation response of the CMOS peripheral circuit. This paper serves as a reference for the research and development of anti-radiation Non-Volatile RAM. Key Words Non-Volatile RAM, Radiation Effects, Total Dose Effects, Single Event Effects, Radiation Hardening 非易失性存储器在系统作为程序和数据存储器来使用是电子系统的重要组成部分。最新的013年国际半导体发展技术路线图（International Technology Roadmap for SemiconductorsRTS）认为目前主流的非易失性存储器为lash存储器，包括AND Flash存储器以及OR Flash存储器。除此之外，路线图中还了4种非易失性存储器：铁电存储器（Ferroelectric Random Access MemoryeRAM），磁性随机存储器（Magnetic Random Access MemoryRAM）存储器（Phase Change Random Access Memory）（Resistive Random Access MemoryRAM）其中eRAM、和都已经实现了量产将RAM作为潜在的解决方案只有小规模的应用[]。 非易失性存储器与传统非易失性存储器最大的区别在于新型非易失性存储器不依靠电荷存储数据，新型非易失性存储器的存储单元有的抗总剂量能力[]。，由于目前新型非易失性存储器基于生产，因此其最终抗辐射能力仍要由制作的外围电路决定。新型非易失性存储器的发展过程中，对其抗辐射能力进行了大量深入的研究，很多改善新型非易失性存储器抗辐射性能的方法，新型非易失性存储器在军事和航空航天领域中的应用，美军的制造厂认证名单（Qualified Manufacturers ListQML）已经出现了专注于厂商verspin。其他，例如eroflex，oneywell等也纷纷推出了自己的新型非易失性存储器产品。国家航空航天局（National Aeronautics and Space Administration）在不断关注新型非易失性存储器在航空航天领域中的应用[]。1 FeRAM的辐射效应 存储器存储单元类似一个电容，但是上下极板之间是铁电晶体铁电中心的在的发生偏移，这种偏移铁电晶体的极化。铁电的极化状态在外加电场撤除后可以保持的极化表现为铁电电容上下极板的电压相应的读写电路必要的外围电路可以的与。 1.1 eRAM的总剂量效应D. N. Nguyen等对Ramtron公司采用ohm 0.8μm工艺