IGBT地驱动和过流保护电路地研究.docVIP

IGBT的驱动和过流保护电路的研究 摘要：本文首先谈论了IGBT的驱动电路的基本要求和过流保护分析,然后运用IGBT集电极退饱和原理,提供了一个采用分立元件构成的IGBT驱动电路和过流保护电路。仿真和试验结果证实了所设计驱动电路的可行性。 　　一 引言 　　尽缘栅双极晶体管(INSulated Gate Bipo1ar TRANSISTOR，IGBT)是MOSFET 与GTR 的 复合器件，因此，它既具有MOSFET 的工作速度快、开关频率高、输进阻抗高、驱动电路简 单、热温度性好的优点,又包含了GTR 的载流量大、阻断电压高等多项优点，是取代GTR 的 理想开关器件[1]。IGBT 目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，广泛应用于各类固态电 源中。IGBT 的工作状态直接影响整机的性能，所以公道的驱动电路对整机显得很重要，但 是假如控制不当，它很轻易损坏，其中一种就是发生过流而使IGBT 损坏，本文主要研究了 IGBT 的驱动和短路保护题目，就其工作原理进行分析，设计出具有过流保护功能的驱动电 路，并进行了仿真研究。 　　二 IGBT 的驱动 　　要求和过流保护分析 　　1 IGBT 的驱动 IGBT 是电压型控制器件，为了能使IGBT 安全可靠地开通和关断，其驱动电路必须满足 以下的条件： IGBT 的栅电容比VMOSFET 大得多，所以要进步其开关速度，就要有合适的门极正反