IGBT课程设计规划论文.docVIP

摘 要 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),也称为绝缘栅双极晶体管复合了功率场效应管和电力晶体管的优点而产生的一种新型复合器件,既具有输入阻抗高、工作速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又具有通态电压低、耐压高和承受电流大的优点，摘 要 I 1 前言 1 2 IGBT的发展历程 1 3 IGBT的结构特点和工作原理 2 4 IGBT的驱动电路和保护 4 4.1 IGBT对驱动电路的要求 4 4.2 IGBT实用的驱动电路 5 4.3 IGBT的保护措施 8 5 IGBT的工作特性 11 6 IGBT模块的选择和测试 12 7 IGBT的应用实例 15 7.1断路器永磁机构控制器的驱动电路 15 7.2 变频调速系统 16 7.3大功率商用电磁炉 17 8 结论 17 参 考 文 献 19 1 前言 近年来，新型功率开关器件IGBT已逐渐被人们所认识，IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 与以前的各种电力电子器件相比，IGBI、具有以下特点：高输入阻抗，可采用通用低成本的驱动线路；高速开关特性；导通状态低损耗。兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但