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实验二十二、硅片氧化工艺实验.
实验二十二、SiO?)膜的过程。这层膜的作用是:保护和钝化半导体表面:作为杂质选择扩散的掩蔽层;用于电极引线和其下面硅器件之间的绝缘;用作MOS电容和MOS器件栅极的介电层等等。其实现的方法有:高温氧化(热氧化)、化学气相淀积(CVT)、阳极氧化、溅射等。氧化即生长在硅片表面上,也向硅片里面延伸,如图1所示。
一般氧化层的45%的厚度是在初始表面上形成,46%是在初始表面以下生成。通常氧化层的厚度,薄的可以小于500A(栅氧化层),厚的可以大于1000?(场氧化层)。氧化的范围为700-1100℃,氧化层的厚度和它的生长进间成比例。
常用的氧化方法是高温氧化。所以这里,我们着重强调一下高温氧化。高温氧化就是把硅衬底片置于1000℃以上的高温下,并通入氧化性气体(如氧气、水汽),使衬底本身表面的一层硅氧化成SiO?。高温氧化又分为:干氧氧化、湿氧氧化和水汽氧化三种。
实践表明,干氧氧化速率慢,但所得到的二氧化硅层质量较好,且和光刻胶有良好的粘附性(不易“浮胶”),而水汽氧化恰恰相反,氧化速度快,使所得二氧化硅层质量较差,而且过量的水还有腐蚀Si的作用,所以很少单独采用水汽氧化。但如果在氧中掺入一定量的水汽(就是所谓的湿氧氧化的方法),就在一定程度上解决了氧化速度和氧气质量之间的矛盾,因此不宜于在生长较厚的氧化层时使用。但终究湿氧氧化生成的二氧化硅层的质量不如干氧氧化的好,且易引起Si表面内杂质再分布。所以,在生长较厚的氧化层时,往往采用干氧-湿氧-干氧的工艺步骤,这既可以使氧化时间不致过长而能保证工艺对氧化层质量的要求。
(二)高温氧化机理
1.?干氧氧化?
在高温下,氧气与硅接触时是通过以下化学反应在硅表面形成二氧化硅的
可见一个氧分子就可以生成一个二氧化硅分子。随着SiO?层的生成,在氧和硅表面之间隔着一层SiO?,那么氧和硅怎样才能继续发生反应呢?显然,那么是氧必须扩散通过已有的SiO?层(氧在SiO?中的渗透很慢),要么是硅原子必须扩散通过已有的SiO?层,现在用放射示综实验表面:SiO?层继续生长是通过氧扩散来实现的。?
氧在SiO?中扩散是以离子形式进行的。氧进入SiO?后便离解成负离子:?
氧离子通过扩散而达到SiO?-SI界面,然后在界面处于SI发生反应而形成新的SiO?,从而使得SiO?层越长越厚。
干氧氧化含有的含离子通过SiO?的扩散和在SiO?-SI界面上与硅发生反应这两个过程。在较高温度(例如1000℃以上)下,界面化学反应速度较快,而氧离子扩散通过SiO?的过程较慢,因此,氧化速度将主要取决于氧化氧离子扩散过程SiO?层的快慢。显然,这时随着氧化的进行,SiO?层将不断增厚,氧化速度也就越来越慢。
2.?水汽氧化?
水汽氧化的化学反应是?
可见需要两个水分子才能使一个硅原子形成一个SiO?分子,而且反应产物中出现有氢气。由于水汽氧化过程中SiO?网络不断遭受消弱,致使水分子在SiO?中扩散也较快(在1200℃以下,水分子的扩散速度要比氧离子的快十倍)。因此,水汽氧化的速度要比干氧氧化的快。
高温氧化的规律:在干氧氧化中,决定氧化速度的基本使氧分子(暂不考虑离解效应)扩散通过SiO?层和在硅表面上发生化学反应两个过程。在氧化时间较短、SiO?层较薄时,表面化学反应的过程是主要的,SiO?层厚度将随时间线性地增加;而在氧化时间较长、SiO?层较厚时,扩散过程是主要的,SiO?层厚度将随时间而作亚抛物线式地增加
(三)SiO?层厚度的测量
氧化完成后,根据芯片表面颜色大致可以判断出氧化硅的厚度。因为不同厚度的氧化硅对可见光的折射率不同,芯片表面氧化硅的颜色会随着厚度的变化呈现周期性变化,下面是不同厚度对应的大致颜色,可作为氧化层厚度的大致判断依据。
实验设备-管式电炉
1、概述:
本产品采用可靠的集成化电路,工作环境好,抗干扰,最高温度时炉体外壳温度≤50℃大大提高了工作环境,微电脑程序控制,可编程序40段曲线,全自动升温/降温,运行中可以修改控温参数及程序,灵活方便、操作简单。控温精度:±1℃??恒温精度:±2℃。升温速度快,最快升温速率≤45/min。炉膛材料全部采用进口摩根纤维制作而成,使用温度高,蓄热量小,保温性能好(节能效果是老式电炉的80%以上)。结构合理,内外双层炉套,风冷散热,可大大缩短试验周期。
该产品耐火材料、电子、陶瓷、冶金、机器、建材、特种材料、新材料开发等领域的试验和检测的必备产品。
2、工作原理:
热电偶将炉温转变成电压信号后,加在微电脑温度控制调节仪上。调节仪将此信号与程控设定相比较,输出一个可调信号。再用可调信号控制触发器,再有触发器触发调压器,达到调节电炉电压和电炉温度的目的。
3、炉体及炉膛结构:我们的工作人员精心设计和采用最先进的技术是炉体外观新颖、结构合理。外壳采用
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