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第八章：金属化
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8.1 引言
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8.2 金属淀积系统
金属沉积系统：
1. 蒸发PVD
2. 溅射
3. 金属CVD
4. 铜电镀
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8.2.1 蒸发工艺原理
蒸发是在高真空中，把坩锅中的固体成膜材料加热
并使之变成气态原子撞击到硅片表面凝结成膜。
蒸发的工艺目的
在器件晶片上沉积金属膜以形成金属化电极结构。
成膜材料的加热方式：蒸发器分为电阻加热、电子
束加热、高频感应加热等三种。在蒸发工艺中，本
底真空通常低于10－6Torr 。
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简单的蒸发系统
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电子束蒸发是电子束加热方式的蒸发，是在高真空
中，电子枪发出电子经系统加速聚焦形成电子束、
再经磁场偏转入射到坩锅的成膜材料上加热，并使
之变成气态原子沉积到硅片上的物理过程。
在蒸发技术中，电子束蒸发占主流。
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电子束蒸发系统的组成：
1. 高压电源系统
2. 真空系统
3. 电子加速聚焦偏转系统
4. 工艺腔
5. 水冷坩锅系统（通常为带旋转的四坩锅）
6. 载片架
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电子束蒸发系统
电子束蒸发系统 10
电子束蒸发过程
电子束蒸发的3个基本步骤：
1. 在高真空腔中，电子枪发射的电子经加速获得足够
的动能并聚焦形成电子束。
2. 电子束经磁场偏转，向成膜材料轰击加热并使之蒸发
3. 成膜材料蒸发出的原子或分子在高真空环境下的平均
自由程增加，并以直线运动形式撞到硅片表面凝结形
成薄膜。
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蒸发的优点：
1. 金属膜沉积速率高，常用于功率器件的厚金属化
电极（厚度达到5.0μm ）
蒸发的缺点：
1. 台阶覆盖能力差
2. 不能沉积金属合金
正因为蒸发的台阶覆盖能力差缺点，在大规模集
成电路制造中，蒸发被溅射所替代。
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8.2.2 溅射工艺原理
溅射 ：是在高真空下，利用高能粒子撞击具有
高纯度的靶材料表面，撞击出的原子最后沉积在
硅片上的物理过程。
在溅射工艺中，本底真空通常低于10－7Torr ，工
作真空通常为10－3Torr左右。高能粒子通常选用
惰性气体氩Ar离子，氩离子不与其它物质发生化
学反应，且是重离子获得的能量
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