弘光科技大学产学合作创新与互惠教学联盟反馈课程教材.PDF

弘光科技大學產學合作創新與互惠 教學聯盟反饋課程教材 產學合作計畫名稱: 開發新穎電化學反應系統去除半導體製化學機械研磨廢液及其電混凝沉降特 性之研究 產學合作編號: NSC 98-2622-E-241-018-CC3 執行期間: 98/07/01 ~ 99/06/30 搭配課程名稱: 98 年第 2 學期高科技產業安全與衛生 第一週課程標題: 半導體產業中化學機械研磨製程與廢液之特性介紹 半導體業為我國重要的產業支柱，同時也是兩兆雙星我國極力發展的產業之 ㄧ，這樣發展的同時於製程中所需要的超純水純度將大幅提高，以及晶圓潔淨度 也將被大為限制。半導體業所產生的廢水大致可分為蝕刻廢水、光刻廢水、濾管 清洗廢水、逆滲透廢水、離子交換樹脂廢水及化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing ，CMP)廢水等等， CMP程序所耗之用水量占了半導體工業的 40% 。 在 1980 年末，IBM 公司研發出化學機械平坦化的全面性平坦，其在 1990 年代期間已變成高密度半導體製程的標準化平坦技術。CMP的原理主要分為化 學性研磨與機械研磨兩部份，利用同時發生的化學反應與機械作用而達到平坦化 目的的一種複合加工法。 CMP研磨液的成份包含 5~10%的微細研磨顆粒 (abrasive particle) ，又稱做 砥粒，和其它的化學添加劑，這一些化學添加劑包刮 界面活性劑、: pH 緩衝劑、 黏度挑整劑、螯合劑、氧化劑、穩定劑和分散劑等。 半導體業已成為我國重要的產業支柱，同時也是兩兆雙星中我國極力發展的 產業之一，尤其近年來隨著高科技產業的蓬勃發展，琳瑯滿目的高科技產品推出 的同時也暗中意味著生產製程背後所面臨的環境與水資源的課題面臨重要考驗。 第二週課程標題: 以電混凝法去除模擬化學機械研磨廢液中二氧化矽粒子之 研究 CMP的製程所需要的用水量為所有半導體製 程之冠，特別是在現今已能源 及資原為首要課題的科技發展趨勢，對於水資源的節約以及廢水帶來的環境破壞 實在不得忽視。 近年來，電混凝得技術在水處理工業上被發現其具有相當得優勢存在，並且 可達到有率及可靠度高的結果，因此像這樣的一項廢水處理技術在最近又漸漸地 被採用，同時相關的研究以及對電混凝技術得探討也在近幾年慢慢多了起來。 本研究將運用國科會產學合作經費對 oxide-CMP 模擬廢水做以下幾點的研究與 探討: 1. 一般奈米顆粒處在水溶液的環境下會有帶電的現象，為了有效使極細微顆 粒能凝聚變大破壞水溶液中的穩定現象，進而達到去除濁度的效果。 2. 本研究也將利用三階段的反應模式去說明，時間對於界達電位與濁度的相 對關係。 3. 探討能量消耗對於濁度的去除率變化，因此將能量消耗做為最適化的條件 指標。 第三週課程標題: 以電混凝技術去除實廠oxide-CMP廢水中 COD及其能量消 耗評估之研究 在台灣地區農業用水占了 70% ，民生用水占了15% ，工業用水占了10% 。 有專家學者預估在 2020 年將會有一千四百 CMD(m3/day) 。因此，如何回收及 再利用來自於廢水處理設備中的放流水，同時也包含了工業區之放流水成為現今 重要的課題。 化學需氧量 (COD)是用來衡量廢水中無機物汙染物和有機物汙染物起化學 反應所需之氧量。雖然 COD 不是唯一用來衡量汙染的參數，但 COD被認為是 廢水排放的一個重要環境影響之指標。 電混凝 (EC)程序即是在待處理的水溶液中置入陰陽電極，並施加電壓形成電 場效應，配合上犧牲電極釋出的陽離子造成水體細微粒子凝聚現象的發生達成顆 粒與水體分離的效應。EC所使用的試劑為電子，稱為『乾淨的試劑』 本研究將運用國科會產學合作經費對半導體實廠 oxide-CMP廢水進行以下幾點 的研究與探討 : 1. 化學機械研磨 (CMP)為半導體工業的一項重要製程，克服目前半導體業界 所面臨的 CMP研磨廢水中水資源的回收處理。 2. 本研究主要針對半導體實廠廢液中降低