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材料合成与制备技术ch5
1;2;3;4;5;6;这个叫“希望之星”的名钻，并不重，44.50ct。传说就是泰坦尼克号女主人公罗丝的那块。极富传奇色彩，1642年产自印度。传说它传到谁手中，其主人必遭厄运。
它从印度传到法国富商，后献给法王路易十四。前者被野狗咬死，后者得了天花死去。
又传给路易十五，在法国大革命中被砍头；
后传给路易十六，他也被送上断头台。
后被盗，在伦敦市场又露面，被一银行家霍普(Hope)买下，从此该钻定名为“希望之星”，后来银行家穷困潦倒；
以后又传到土耳其商人手中，该家车祸翻下悬崖；
1911年传到美国，现藏于美国一家博物馆。;8;;10;11;12;13;14;15;16;17;18;19;20;21;22;23;24;25;;27;28;29;30;31;32;33;34;35;
升华-凝结示意图
1-原料，2-晶体 ;37;;
典型的分子束外延（MBE）装置示意图 ;
MOCVD生长设备示意图
金属有机化学气相外 延淀积(或金属有机气相外???) ;
化学束外延（CBE）装置示意图 ;
离子束沉积（IBD）沉积装置示意图
1-离子源；2-磁分析器；3-电四极透镜；4-磁四极透镜；5-偏转板；6-减速透镜；7-超高真空外延生长室；8-衬底；9-真空泵系统
(减低沉积温度);
（a）热丝CVD(HFCVD)装置图
CVD技术制备金刚石薄膜装置示意图 ;
（b）微波等离子体CVD装置图
CVD技术制备金刚石薄膜装置示意图
微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR -CVD)技术 .该技术的特点是 :不含电极 ,可避免电极溅射造成的污染 ;等离子区离子密度高 ,能高度分解 ,从而可显著提高薄膜生长速率 ;改变磁场位形和结构 ,可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量 . ;
（c）直流等离子体喷射CVD装置图
CVD技术制备金刚石薄膜装置示意图;
气-液-固（VLS）生长机制示意图 ;
VLS法生长金刚石晶须 ;48;49;50;51;52;53;54;55;56;57;58;59;60;61;62;63;64;65;66
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