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ETCH PROCESS TRAINING 2000/8/28 WHAT IS ETCH？ 什么是腐蚀？ 腐蚀就是通过一定的方法（化学药液，特气等）把光刻曝光显影后形成的图形转移到硅片上，从而形成管芯的各种结构和图形。 腐蚀课工艺分：腐蚀； 去胶； 清洗； ETCH BASE PARAMETER 腐蚀速率（ETCH RATE）=单位时间内同种衬底损失掉的厚度； E/R=（A-B）/ETCH TIME ETCH BASE PARAMETER 腐蚀速率的均匀性（UNIF）=在同一硅片不同位置的腐蚀速率的差异； UNIF=[MAX E/R（1，5）—MIN E/R（1，5）]/2AVG E/R（1，5） 1 5 2 3 4 ETCH BASE PARAMETER 选择比（SELECITY）=在同样腐蚀条件下，不同材料的腐蚀速率的比值。 SEL A/B= （E/R A）/（E/R B） 选择比反映腐蚀过程中对另一种材料（光刻胶或衬底）的影响。 ETCH BASE PARAMETER 形貌（PROFILE）=反映腐蚀后硅片表面的地貌特征； 负载效应=反映不同光刻图形（即PR/ETCH RATIO）对腐蚀速率，形貌等的影响。 条宽损失（CD LOSS）=腐蚀对图形条宽的影响。 CD LOSS=FINAL CD—PHOTO CD ETCH BASE PARAMETER 各向同性腐蚀=腐蚀速率在纵向和横向上均一样的腐蚀；如湿法腐蚀就是各向同性腐蚀。 ETCH BASE PARAMETER 各向异性腐蚀=腐蚀速率在纵向和横向上不一样的腐蚀，一般纵向速率远大于横向速率；如大部分干法腐蚀就是各向异性腐蚀。 刻蚀设备简介（5”） 1612---干法AL刻蚀 H200--干法AL刻蚀 1611----POLY ，SiCr 刻蚀 901-----SDG，POLY2，PESiN刻蚀 8111----SiO2刻蚀（栅孔，孔，PAD） CDE----PESiN，LPSiN全剥，Plasma处理 DES----干法去胶 刻蚀设备简介（5”） T-11---SiO2腐蚀 T-14---AL-G产品湿法孔，栅孔腐蚀 T-15---Si-G产品湿法孔腐蚀 SH-----AL前湿法去胶，清洗 S-13---AL后湿法去胶 S-12---AL后湿法清洗 T-16---湿法AL腐蚀 刻蚀设备简介（6”） 8330----------------------干法AL刻蚀 P5000 METAL---------干法AL刻蚀 P5000 POLY A 腔体---POLY 刻蚀 P5000 POLY B 腔体--SiN 刻蚀 P5000 POLY A 腔体---POLY 刻蚀 P5000 SiN A 腔体------POLY ，SiN刻蚀 P5000 SiN B腔体-------SiN 刻蚀 刻蚀设备简介（6”） P5000 SiN C腔体-OXIDE刻蚀 P5000 OXIDE ----OXIDE刻蚀 384------------------1.0um以上产品SiN刻蚀 384T----------------SPACER刻蚀 ASIQ---------------OXIDE刻蚀 AE2001------------ISO 孔刻蚀 A1000-------------干法去胶 刻蚀设备简介（6”） SCP-1#--SiN全剥 SCP-2#--AL前湿法去胶 SCP-3#--OXIDE腐蚀 SCP-4#--OXIDE腐蚀，漂洗 SCP-5#--Ti腐蚀 SST------AL后清洗 SIN ETCH PROCESS 工艺气体：SF6（6”PROCESS）；CF4/O2（5”PROCESS） 工艺参数：SIN E/R；UNIF；SIO2 LOSS；PR LOSS； PROFILE； CD LOSS； 工艺要求：SIN腐蚀干净，无SIN残余 ； SIN条边缘整齐， 氧化层颜色均匀；