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AlN陶瓷的性能及应用-现代技术陶瓷
第37 卷 第1 期 现 代 技 术 陶 瓷 Vol. 37 No. 1
2016 年2 月 Advanced Ceramics February 2016
中图分类号: TB34 文献编号: 1005-1198 (2016) 01-0022-12
文献标识码: A DOI : 10.16253/ki.37-1226/tq.2016.01.003
AlN 陶瓷的性能及应用
丁利文, 范桂芬, 李镜人, 姚宜峰, 吕文中
华中科技大学 光学与电子信息学院, 武汉 430074
摘 要:AlN 陶瓷具有高硬度、与硅相接近的线膨胀系数、高电阻率、低介电常数、低介
电损耗以及无毒、耐高温、耐腐蚀等特性, 力学性能良好, 在电子、机械、复合材料等领域有着
广泛的应用。尤其是因为具有高热导率, AlN 陶瓷已经成为理想的半导体基板和封装材料之一。
本文回顾了AlN 陶瓷的发展历程, 着重评述了AlN 陶瓷的制备技术、性能及应用等方面的研究
进展, 并对其面临的技术困难及发展方向进行了展望。
关键词:AlN 陶瓷;制备工艺;热导率
随着大功率和超大规模集成电路的发展, 集成电路的高度密集化导致单位面积的电子元器件的
发热量急剧增加, 如果不解决基板的散热问题, 电子元件将难以正常工作。这样就要求基板材料具有
高的热导率, 同时兼具较高的电阻率。传统的基板材料有 Al O 陶瓷和 BeO 陶瓷, 但是 Al O 陶瓷基
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板热导率很低 (~ 20 Wm1K1), 线膨胀系数与 Si 不太匹配;纯度为 99% 以上, 致密度达 99% 以上
的BeO 陶瓷, 其室温下的热导率可达 310 Wm1K1, 但是生产成本高且具有剧毒, 因而限制了它的
推广和应用[1-3] 。AlN 陶瓷是一种新型的高导热材料, 其基本性能参数如表 1 为所示。AlN 陶瓷理论
导热率高达 320 Wm1K1 (是Al O 的5 ~ 8 倍), 实际使用的AlN 陶瓷热导率为 180 Wm1K1 ~ 200
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Wm K 。同时 AlN 陶瓷的硬度较高, 热膨胀系数 (25C ~ 200C 时为 4.0 × 10 /C) 与硅接近
(25C 时为 3.4 × 106/C), 体电阻率较高 (25C 时体电阻率大于 1014 cm), 介电常数低、介电损耗
小, 此外该材料无毒, 耐高温耐腐蚀, 其综合性能优于氧化铝和氧化铍, 是新一代半导体基片和电子
器件封装的理想材料[3,4] 。
对 AlN 陶瓷的最早报道见于 1862 年[5], 当时AlN 是作为化肥使用。20 世纪 50 年代又作为耐火
材料用于一些金属的熔炼[6] 。随着粉末冶金技术的发展以及对 AlN 陶瓷的深入研究, 到 20 世纪 70
年代, 氮化铝的制备工艺才日趋成熟[7] 。20 世纪 90 年代以后,科研工作者对 AlN 进行研究, 通过添加
收稿日期: 20151221 收到修改稿日期:20160202
基金项目: 国家自然科学基金 ; 国家科技重大专项0
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