Dielectric response介电响应.pptVIP

wangcl@sdu.edu.cn Dielectric response铁电体的介电响应 介电响应与电畴 尺寸效应 tunability 介电响应与电畴 畴夹持效应 (clamped effect) 设晶体由180度的畴组成，沿极轴测量小信号电容率，如图6.15所示。测量时所加电场很低，不足以造成极化反转，但在此电场作用下，与之同向的电畴倾向于沿电场方向伸长，与之反向者则收缩。因此各电畴的形变都受到约束，极化改变量的数值小于自由状态下的数值，即电容率因为畴夹持效应而变小。 这种效应首先在钛酸钡单晶上观察到，测量时晶体上加有直流偏置场。当偏置场很大使晶体成为单畴时，测得c轴相对电容率约为200，而在偏置场反向且等于轿顽场时，电容率只有160。 老化（aging）过程是畴结构缓慢变化的过程。单畴化处理时转向的电畴倾向于恢复到原先的位置，因而引起各种性能(包括电容率的)变化。电容率的老化至少部分的可归因于夹持效应。 对四方钙钛矿结构陶瓷老化过程的研究表明，电容率的变化可分为两部分 老化过程中，180?畴的增多使夹持效应增大，??*C小于零。90 ?畴壁的增多使信号场遇到的a畴增多，c畴减少,如果?α?c，则??*A大于零，反之则小于零。因为??*A和??*C与剩余极化，电致伸缩系数和弹性系数有关，测量这些量后可以计算出??*A和??*C，从而预言?X33的数值。研究表明，预言的数值与