集成电路制造工艺之光刻及刻蚀工艺.ppt

8.12.2、二氧化硅和硅的干法刻蚀 在ULSI工艺中对二氧化硅的刻蚀通常是在含有氟化碳的等离子体中进行。早期刻蚀使用的气体为四氟化碳(CF4)，现在使用比较广泛的反应气体有CHF3，C2F6，SF6和C2F8，其目的都是用来提供碳原子及氟原子与SiO2进行反应。 CF4的反应为： 使用CF4对SiO2进行刻蚀时，刻蚀完SiO2之后，会继续对硅进行刻蚀。 为了解决这一问题，在CF4等离子体中通常加入一些附加的气体成份，这些附加的气体成份可以影响刻蚀速度、刻蚀的选择性、均匀性和刻蚀后图形边缘的剖面效果。 在使用CF4对硅和SiO2进行等离子刻蚀时，氟与SiO2反应的同时，还与CFx原子团(x≤3)结合而消耗掉，造成氟原子的稳态浓度比较低，刻蚀速率较慢。 如果加入适量的氧气，氧气也同样被电离，氧可与CFx原子团反应，造成CFx原子团耗尽，减少了氟原子的消耗，使F/C原子比增加，加快SiO2刻蚀速度。 在氧组分达到临界值之后，继续增加氧的组分，由于氟原子浓度被氧冲淡，刻蚀速度下降。 刻蚀硅时，临界氧组分只有12%，氧组分继续增加，刻蚀速率下降比SiO2更快。这是由于氧原子倾向于吸附在Si的表面上，阻挡了氟原子加入反应。随着更多氧的吸附，对Si的刻蚀影响加剧。 加入适量的氧气 在CF4等离子体中加入氢气，随氢组分增加： 加入适量的氢气 SiO2的刻蚀速度缓慢减小，持续到氢的组分达到40%； Si的刻蚀速度迅速减小，当氢的组分大于40%时，对Si的刻蚀停止。 在CF4等离子体中加入适量的氢气，可以增强SiO2/Si刻蚀的选择性。 如果F/C比较高(添加氧气)，其影响倾向于加快刻蚀。 如果F/C比较低(添加氢气)，刻蚀过程倾向于形成高分子聚合物薄膜。 在CF4等离子体中添加气体成份，影响等离子体内F/C原子比。 目前集成电路的干法刻蚀工艺中，通常CHF3等离子体进行SiO2的刻蚀，加入少量氧来提高刻蚀速度。 8.12.3、Si3N4的干法刻蚀 在ULSI工艺中，Si3N4的用途主要有两种： 一是在SiO2层上面，通过LPCVD淀积Si3N4，做为氧化或扩散的掩蔽层，不成为器件的组成部分。可以采用CF4等离子刻蚀。 另一种是通过PECVD淀积Si3N4做为器件保护层。这层Si3N4在经过光刻和干法刻蚀之后， Si3N4下面的金属化层露出来，形成器件的压焊点，然后进行测试和封装。可以采用CF4-O2等离子体进行刻蚀。 实际上用于刻蚀SiO2的方法，都可以用来刻蚀Si3N4 。由于Si-N键的结合能介于Si-O键与Si-Si键之间，所以Si3N4的刻蚀速度在刻蚀SiO2和刻蚀Si之间。因此，Si3N4/ SiO2 的刻蚀选择性比较差。 8.12.4、多晶硅与金属硅化物的干法刻蚀 集成电路中一般采用polycide（多晶硅/难熔金属硅化物）多层栅结构，也称多晶硅化金属。 在MOSFET中，栅极的尺寸控制是决定性能的关键，对刻蚀的各向异性和选择性的要求都很高。 由于多晶硅的刻蚀速度比金属硅化物的刻蚀速度快得多，会造成金属硅化物下方的多晶硅被刻蚀，导致多晶硅化金属对SiO2的附着力下降。 对多晶硅化金属的各向异性刻蚀通常需要分两步进行： 首先是对多晶硅上方的金属硅化物进行刻蚀。 当上层的金属硅化物完成刻蚀之后，开始刻蚀多晶硅。 目前广泛应用的金属硅化物是WSi2和TiSi2。 对于刻蚀WSi2和TiSi2的情况，氟原子及氯原子都可以与两者反应形成挥发性的化合物(如WF4和WCl4)。 CF4，SF6，Cl2及HCl都可以做为刻蚀金属硅化物的反应气体。 刻蚀金属硅化物 采用氟化物等离子体刻蚀多晶硅为各向同性刻蚀，因此，使用氯化物的等离子体对多晶硅进行各向异性的刻蚀，主要的反应气体有Cl2，HCl以及SiCl4。 使用Cl2和Cl2-Ar等离子体反应离子刻蚀未掺杂的多晶硅，刻蚀的各向异性度A值约为1，而反应离子刻蚀重掺杂的n型多晶硅时，出现了横向刻蚀现象。 使用氯化物的等离子体对多晶硅进行刻蚀，刻蚀对多晶硅/SiO2具有很好的选择性。这样就可以通过过刻来彻底除去多晶硅，不会对下方的二氧化硅造成太大的伤害。 刻蚀多晶硅 8.12.5、铝及铝合金的干法刻蚀 纯铝的刻蚀比铝合金容易。在刻蚀之前，必须用溅射或化学还原法除去自然氧化层(约30?) 。新鲜Al可自发地与Cl或Cl2反应，形成准挥发性的AlCl3。 由于硅可用含氯等离子体刻蚀，Al-Si合金也可在含氯气体中刻蚀，形成挥发性的氯化物。 对Al-Cu合金的刻蚀，由于铜不容易形成挥发性卤化物，故刻蚀之后，有含铜的残余物留在硅片上。用高能离子轰击可以