模拟电子技术基础-自测题答案.doc

第1章 半导体二极管及其基本应用 1．1 填空题 1．半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。 2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是 空穴 。 3．PN结在 正偏 时导通 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。 4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小 。 5．整流电路是利用二极管的 单向导电 性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。 6．发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的二极管。 7．光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置电压。 8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。 1．2 单选题 1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷 3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A．减小 B．基本不变 C．增大 4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A．增大 B．基本不变 C．减小 5．变容二极管在电路中主要用作( D )。 、 A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器 1．3 是非题 1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( √ ) 2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) 3．二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。( × ) 4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( × ) 第2章 半导体三极管及其基本应用 2．1 填空题 1．晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。 2．晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。 3．晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。 4．当温度升高时，晶体管的参数β 增大 ，ICBO 增大 ，导通电压UBE 减小 。 5．某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数β约为 99 。 6．某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电流IC不得超过 10 mA；当工作电压UCE=1V时，IC不得超过 20 mA；当工作电流IC=2 mA时，UCE不得超过 30 V。 2．2 单选题 1．某NPN型管电路中，测得UBE=0 V，UBC= —5 V，则可知管子工作于( C )状态。 A．放大 B．饱和 C．截止 D．不能确定 2．根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B )。 A．NPN型低频小功率硅晶体管 B．NPN型高频小功率硅晶体管 C．PNP型低频小功率锗晶体管 D．NPN型低频大功率硅晶体管 3．输入( C )时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。 A．正弦小信号 B．低频大信号 C．低频小信号 D．高频小信号 5．当UGS＝0时，( B )管不可能工作在恒流区。 A．JFET B．增强型MOS管 C．耗尽型MOS管 D．NMOS管 2．3 是非题 1．可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。( × ) 2．MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。( √ ) 5．场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。( √ ) 2．4 分析计算题 1．图T2．1所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。 解：(a)UBE=UB—UE＝0.7—0＝0.7V，发射结正偏； UBC=UB—UC＝0.7—3＝—2.3 V，集电结反偏 因此晶体管工作在放大状态。 (b) UBE=UB—UE＝2—3＝—1V，发射结反偏； UBC=UB—UC＝2—5＝—3 V，集电结反偏 因此晶体管工作在截止状态。