导体能带理论.docxVIP

PPT30. 导体 能带理论要点：纯半导体导电能力不强，掺杂或缺陷使之称为p或n型半导体，导电能力增强；掺杂禁带宽度小的使之满带激发到空待变得简单，导电能力变强。1.本证半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。2.空穴：在极低温度下，半导体的价带是满带（见能带理论），受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，（价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴）称为空穴。3.电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。空穴电流：自由电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。空穴导电并不是实际运动，而是一种等效。电子导电时等电量的空穴会沿其反方向运动[1]??。它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。本征半导体的电流：（混合型导电）电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。导体电的特点：导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。纯半导体晶体的复合：导带中的自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。结论：本征半导体的导电性能与温度有关。半导体材料性能对温度的敏感性，可制作热敏和光敏器件，又造成半导体器件温度稳定性差的原因。6.P型半导体：（P，positive，正电）在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。P型半导体中，空穴的浓度大于自由电子的浓度，称为多数载流子，称为多数载流子，简称多子；自由电子为少数载流子，简称少子。N型半导体：（N，negative，负电）在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。N型半导体中，多子为自由电子；少子为空穴。自由电子与空穴的多寡对电气特性有很大的影响，越多的自由电子与空穴可以使导电性增加，同时也可以使输出电流增加，因此可以推测阳光越强时生成的自由电子与空穴越多，则输出电流也越大。然而如果只是单纯的产生自由电子与空穴，将会因为摩擦及碰撞等因素失去能量，最后自由电子会与空穴复合而无法利用。为更有效的利用由电子与空穴来产生电流，因此必须加入电场使自由电子与空穴分离进而产生电流。产生电场的方式很多如PN接面、金属半导体接面等，其中最常用的方式为PN接面。9.PN结的形成：将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上，在它们的交界面就形成PN结。10.PN结的形成过程：在无外电场和其它激发作用下，参与扩散运动的多子数目等于参与漂移运动的少子数目，从而达到动态平衡，形成PN结。11.复合半导体：两种或是两种以上的半导体通过研磨、溶解混合形成复合半导体材料，它在保持半导体基本性的基础上，因存在大量两种材料接触的表面与界面，在光照、电场、磁场等外界作用显示出诸多特殊性能，极大改善单半导体的性能，拓宽新材料的发现与半导体材料的应用范围。PPT2.太阳能：普遍、环保、巨大、长久地球上的风能、水能、海洋温差能、波浪能和生物质能都是来源于太阳；即使是地球上的化石燃料（如煤、石油、天然气等）从根本上说也是远古以来贮存下来的太阳能，所以广义的太阳能所包括的范围非常大，狭义的太阳能则限于太阳辐射能的光热、光电和光化学的直接转换。太阳辐射到地球大气层的能量仅为其总辐射能量的22亿分之一，但已高达173,000TW，也就是说太阳每秒钟照射到地球上的能量就相当于500万吨煤，每秒照射到地球的能量则为499,400,00,000焦。thousand........................kilo.............千..............k(一定是小写)................3million............................mega..........兆..............M(一定是大写)...............6billion / 英gillion..........giga............吉..............G(一定是大写)...............9trillion / 英bil