转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响.pdfVIP

第 28 卷第1 期 Vo l. 28 , No.l 光学学报 2008 年 1 月 ACTAOPTICA SINICA January , 2008 文章编号: 0253-2239(2008)0 1-0143-03 转移基板材质对 Si 衬底 GaN 基LED 芯片性能的影响 用 海1 刘军林1，2 程海英1，2 江风益1 ， 2 (商昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心，江西南岳阳7) z 品能光电(扭商)有限公司，江西南昌 330096 摘要 在 Si 衬底上生长了 GaN 基 LED 外延材料，分别转移到新的硅基板和铜篡板上，制备了垂直结构蓝光 LED 芯 片。研究了这两种慕极GaN 摹 L鼠。芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前，对大量尺寸为(300μmX300μm) 的 这两种芯片分别i崩离站 lA 的大电流在测试台上加速老化 1 h。结果显示，铜基板 Si 衬底 GaN 基 LED 芯片有更大的 饱和电流，光输出效率更高，工作电压随驱动咆流的变化不大，光输出在老化过程中衰减更小。铜怒饭芯片比磁基板 芯片可靠性更高，在大功率半导体照明帮件中前景诱人。 关键词 光学材料; Si 衬底p 加速老化s 铜基板p 硅基板 中图分类号 TN312+.8 文献标识码 A Effect of TransferredAnsferred Submount Materials on Properties of GaN-Based LED Chips Grown on Si Substrate Kuang HaF Liu Junlir旷11， 2 Che创ng Ha盯iy川r咱ing矿1.2 Ji切ang Fe创ngy川i1. 2 |广广广胁帅阳川……u旧唰川叫…c仰刚叫叫α时伽ω…t仰阳川ω阳川悦叫Mi1川i…M附叫…T叫阳叫iω叫悦叼g Nα?η旧1忧chα7ηb咿g University , Nα， nchα忧g ， Jiang;á 330047 , Chinα 2Lαttice Power (JiangxÍ) Corporation , Nα， nchang. Jiαngxí 330096. Chinα Abstract InGaN blue MQW LEDs , grown by metal-organic vapor deposition (MOCVD) on Si (1 11) substrate , were successfully bonded and transferred onto new substrates Cu and Sí. Then. the vertical structure LED chips based on these two kind substrates are made. In the following experiment. the properties of two different GaN LED chips have been tested and researched before the chips were scribed. Current-accelerating aging experiments under 1 A current applied on these chips have been carríed out. The results indicate that the chips with Cu substrate a