固体光谱学 第四章 激子光谱.pptVIP

第四章 激子光谱 4.2 弗仑克尔激子 4.3 万尼尔激子 4.4 允许和禁戒的激子跃迁 4.4.2 间接跃迁 4.5 自由激子和束缚激子的复合发光 4.5.2 束缚激子的复合 4.5.3 激子发光线形 4.6 激子分子的复合发光 4.7 电子-空穴液滴的发光 4.7.2 电子-空穴液滴的发光 图4.7表示半导体 Ge 在低温下的吸收边。 ?25??2 4.5.1 自由激子的复合 激子作为固体的一种元激发态，其携带的能量可以 通过电子-空穴复合发光将能量释放出来。对于直接带 结构半导体，自由激子发光能量为 对间接带结构半导体，激子发光能量为 （4.27） 在激子光谱中，常常出现所谓声子伴线（replica），用 FE—TO，FE—TA等表示，意思是伴随 TO 和 TA 声子 发射。对于声子伴随的激子发光，常常用零声子激子的 Eg h? R* 概念。设零声子激子的波矢为Ki ，则声子参与下激子复 合发光的波矢条件为 （4.28） 在一般情况下激子发光伴随声子的发射，在特殊情 况下，会伴随声子吸收，此时激子发光能量会比零声子 激子发光能量高，其发光能量和波矢关系分别为 （4.29） （4.30） 如果激子处在杂质中心附近时系统能量进一步降低， 那么激子可以被束缚在杂质或缺陷中心上，形成稳 定状态即束缚激子。半导体中的束缚激子包括： ① 束缚在中性施主(Donor)上的激子D0X ; ② 束缚在离化施主上激子D+X； ③ 束缚在中性受主(Acceptor)上激子A0X； ④ 束缚在离化受主上激子A-X。 D+ C V 自由激子与束缚激子发光光谱的区别： 束缚激子比自由激子发光谱线窄； 束缚激子位于自由激子低能侧。 识别的方法：能量、线型、热离化、场离化。 图4.9表示掺微量硒(Se)的高纯 GaAs 在1.12K低温下的 发光光谱。 图4.10表示直接带半导体InP的发光光谱。 自由激子 光学声子发射 的束缚激子 43meV 在有效质量近似和抛物线能带结构近似下，激子复 合发光强度可以表示为 （4.31） 采用质心坐标系和约化质量，激子可以作为一个准 粒子来处理，其态密度D(E)的表达式类似于带间直接跃 迁的1/2次方律，由此得 （4.32） 其中 为声子能量。 图4.11表示高纯 Ge 在4.2K下的发光光谱。 用公式（4.32）对发光线形拟合的结果如图4.12所示。 考虑到激子中电子质量各向异性的影响，可能使 激子基态发生劈裂，从劈裂上能级到价带跃迁的发光 曲线如图4.12右下角虚线 所示。 在低温下，随着激发态密度的提高，两个激子有 足够的机会接近，如果两个激子接近到一定的程度， 会产生相互作用，从而使系统的总能量降低，形成激 子分子（EM）。它们是由两个电子和两个空穴组成 的复合体，类似于电子-正电子偶素分子。 激子分子的发光可以理解为其中一个电子-空穴对 复合，另一个仍保持为一个激子，发光的能量为 1. 激子分子的发光能量比自由激子的低； 2.激子分子发光强度在一定范围内与激发密度平方成正比； 3.激子的发光强度与激发密度成线性关系； 4.两个电子束缚到一个空穴上，或两个空穴束缚到一个电 子上形成的复合体系，其发光强度应该与激发密度的3/2 幂成正比。 （4.33） 在低温下（8K）用红宝石激光激发CuCl单晶，得到 CuCl的发光光谱如图4.13所示。 假设激子分子动能遵从麦克斯韦-玻耳兹曼分布，并 令这种分布等效于温度Teff，类似于激子发光线形表达式 （4.32），激子分子的发光光谱可以表示为 （4.34） 设Teff =26K，利用（4.34）式对CuCl发光的 M 带线形 拟合结果如图4.14所示。 间接带结构的AgBr在低温和强激发下的发光如图4.15所示。 4.7.1 电子-空穴液滴及其性质 电子-空穴液滴可以理解为电子-空穴等离子体。它 具有如下性质： 1.?????? 金属性； 2.?????? 光电导性； 3.?????? 相变：这一相图可以分为三个区域： Ⅰ: 当 ，体系为电子-空穴气（EHG）； Ⅱ: 当 体系