第二章电力电子器件2.2电力二极管.pptVIP

在图中： 延迟时间：td= t1- t0 电流下降时间：tf= t2- t1 反向恢复时间：trr= td+ tf （普通电力二极管的反向恢复时间trr=2~5μS） 恢复特性的软度：电流下降时间与延迟时间的比值tf /td，或称恢复系数，用Sr表示 1.2.3 电力二极管的主要参数 1. 正向平均电流IF(AV) 额定电流——在指定的管壳温度（简称壳温，用TC表示）和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值 设该正弦半波电流的峰值为Im, 则 额定电流(平均电流)为: 当用在频率较高的场合时，开关损耗造成的发热往往不能忽略 当采用反向漏电流较大的电力二极管时，其断态损耗造成的发热效应也不小 正向平均电流是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有1.5~2倍的裕量。 额定电流有效值为: 2. 正向压降UF 指电力二极管在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时对应的正向压降 有时参数表中也给出在指定温度下流过某一瞬态正向大电流时器件的最大瞬时正向压降 3. 反向重复峰值电压URRM 指对电力二极管所能重复施加的反向最高峰值电压 通常是其雪崩击穿电压UB的2/3，是反向不重复峰值电压URSM的80%。 使用时，往往按照电路中电力二极管可能承受的反向最高峰值电压的2~3倍来选定 4. 最高工作结温TJM 结温是指管芯PN结的平均温度，用TJ表示。 最高工作结温是指在PN结不致损坏的前提下所能承受的最高平均温度。 TJM通常在125~175?C范围之内。 5. 反向恢复时间trr trr= td+ tf ，关断过程中，电流降到零起到恢复反响阻断能力止的时间。 6. 浪涌电流IFSM 指电力二极管所能承受最大的连续一个或几个工频周期的过电流。 1.2.3 电力二极管的主要类型 按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能，特别是反向恢复特性的不同介绍。 在应用时，应根据不同场合的不同要求选择不同类型的电力二极管。 性能上的不同是由半导体物理结构和工艺上的差别造成的。 1. 普通二极管（General Purpose Diode） 又称整流二极管（Rectifier Diode） 多用于开关频率不高（1kHz以下）的整流电路中 其反向恢复时间较长，一般在5?s以上，这在开关频率不高时并不重要。 正向电流定额和反向电压定额可以达到很高，分别可达数千安和数千伏以上。 2.快恢复二极管（Fast Recovery Diode—FRD） 恢复过程很短特别是反向恢复过程很短（5?s以下）的二极管，也简称快速二极管 工艺上多采用了掺金措施 有的采用PN结型结构 有的采用改进的PiN结构 采用外延型PiN结构的的快恢复外延二极管（Fast Recovery Epitaxial Diodes——FRED），其反向恢复时间更短（可低于50ns），正向压降也很低（0.9V左右），但其反向耐压多在1200V以下 从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100ns以下，甚至达到20~30ns。 快恢复二极管 230PIV600BAA-44 600V/60A 绝缘铜底板，内部是两只完全独立的快恢复二极管，用两只模块可组成600V/60A高速桥堆。用三只模块可组成600V/90A高速三相整流桥。 单价18元 3. 肖特基二极管 以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode——SBD），简称为肖特基二极管 20世纪80年代以来，由于工艺的发展得以在电力电子电路中广泛应用 肖特基二极管的优点 反向恢复时间很短（10~40ns） 正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲 在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小，明显低于快恢复二极管 其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小，效率高 肖特基二极管的弱点 当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求，因此多用于200V以下 反向漏电流较大且对温度敏感，因此反向稳态损耗不能忽略，而且必须更严格地限制其工作温度 电力二极管的命名 P Z 正向平均电压组别 反向重复峰值电压等级（额定电压） 额定正向平均电流系列（额定电流） 普通型 整流特性 总结 电力电子电路主要分为那几个部分？ 电力电子器件分为哪三类？ 分析电力电子器件时我们主要看哪些指标？ 静态特性 动态特性：平均电流，有效电流，正向压降，反向重复峰值电压，反向恢复时间。 太原工业学院自动化系 * 电力电子技术 2.1电力电子器件概述 2.1.1电力电子器件的概念和特征 2.1.2应用电力电子器件的系统组成 2.1.3电力电子器件的分类 2.1.4本