激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜.pdf

　第35卷第4期 原 子 能 科 学 技 术 Vol. 35 ,No. 4 　2001年7月 Atomic Energy Science and Technology J uly 2001 文章编号 (2001) 激光印痕研究中的硅平面薄膜和刻蚀膜 1 1 2 1 1 周 　斌 ,王 　珏 ,韩 　明 ,徐 　平 ,沈 　军 , 1 1 1 1 2 邓忠生 ,吴广明 ,张勤远 ,陈玲燕 ,王跃林 ( 1 同济大学 波耳固体物理研究所,上海　200092 ;2 上海冶金研究所 传感器国家重点联合实验室 ,上海　200050) 摘要 :研制了用于激光印痕研究的 Si 平面薄膜和刻蚀膜。膜制备的主要工艺采用氧化、扩散、光刻 等现代半导体技术 ,并结合自截止腐蚀技术。Si 平面膜厚度为 3 ～4 μ m ,表面粗糙度为几十 nm 。 μ μ μ 采用离子束刻蚀工艺 ,在 Si 膜表面引入 25 m ×25 m 的网格图形或线宽为 5 m 的条状图形 ,获 得了相应图形的 Si 刻蚀膜。探讨了扩散、氧化、腐蚀工艺对自支撑 Si 平面薄膜的表面粗糙度的影 响 ,研究了离子束刻蚀参数对刻蚀图形形貌的影响。 关键词 :激光印痕靶 ; 自截止腐蚀;离子束刻蚀 中图分类号:O472 　　　文献标识码 :A 驱动光束空间不均匀性可引起激光烧蚀后的瑞利泰勒流体力学不稳定性的增长 ,导致惯 ( ) 性约束聚变 ICF 实验的失败。分解实验是研究驱动光束不均匀性的重要方法。利用 XUV 成像系统探测驱动激光加速下平面薄膜上的激光印痕[1 ,2 ] , 以此获得驱动激光光束不均匀性 ( 的信息 ,采用的探针是 X 光激光。目前 , 国内进行驱动光束不均匀性研究的条件 驱动激光束 ) 和自制 XUV 成像系统 已基本满足,迫切需要研究制备实验用平面薄膜和具有一定结构、用 于测量自制 XUV 成像系统像传递函数的刻蚀膜。 物理实验以 106 μ m 基频光辐照银靶产生的波长为 140 nm 的 X 光激光作为探针激光 , μ 以低强度的 106 m 基频光辐照烧蚀 Si 平面薄膜 ,测量激光烧蚀后 Si 薄膜上的烧蚀印痕 ,成 ( ) 像于图像传感器 CCD ,通过获得的激光烧蚀不均匀信息研究驱动激光空间不均匀性。为此 , 本工作研究制备物理实验用 Si 平面薄膜和 Si 刻蚀膜。 1 　制备与测量 Si 平面薄膜厚度为 3～4 μ 600 μ m , m 内表面粗糙度控制在 10 nm 内; Si 刻蚀膜是在 Si 收稿日期 ;修回日期 ( ) 基金项目 : 国家“863 ”惯性约束聚变领域资助课题 863416366 ( ) 作者简介 :周　斌 1970 — ,男 ,浙江绍兴人 ,讲师 ,材料物理与化学专业 © 1994-2006 China Academic Journal Electronic Publishing Ho