玻璃衬底上CdTe薄膜的制备及其性质(不同粗糙度川大05).pdf

维普资讯 SEM ICONDUCTOR OPTOELECTRONICS Vo1 ． 26No．3 June2005 玻璃衬底上 CdTe薄膜的制备及其性质 曾广根 ，冯 良桓，黎 兵，张静全，蔡亚平，郑家贵， 蔡 伟，郑华靖，陈 茜，李 卫 (四川大学 材料科学与-1-程学院 。四川 成都 610064} 摘 要 ： 利用近空间升华法在经过不同打磨处理的玻璃衬底上制备 了CdTe薄膜，用X射线 衍射仪 ，扫描电镜表征 了CdTe薄膜的微结构。结果表明CdTe薄膜的微观结构依赖于衬底粗糙 度 ，(111)晶面的择优取向随衬底表面粗糙度的增加而降低。 关键词 ： 太阳电池 ；碲化镉；近空间升华法 中图分类号：TN304．22 文献标识码 ：A 文章编号：1001—5868(2005)03—0226—03 PreparationandPropertiesofCdTeThin-film DepositedonGlass ZENG Guang—gen，FENG Liang—huan，LIBing，ZHANG Jing—quan，CAIYa—ping， ZHENGJia—gui，CAIWei，ZHENGHua—jing，CHEN QJan，LIWei (CollegeofM aterialScienceandEngineering，SichuanUniversity，Chengdu610064，CHN) Abstract： TheXRD，SEM analysismethodswere used to research the propertiesofthe CdTethin—filmsdeposited on glasssubstrate abraded at differenttimesby the close-spaced sublimationtechnique．Theresultsshow thatthemicrostructureofCdTethin—film iSdependent ontheroughnessofsubstratesurface，andtheselected (111)orientationofCdTeshoulddecrease withtheincreasingroughnessofthesubstratesurface． Keywords： solarcells；CdTe；close—spacedsublimation 1 引言 高效太阳电池的最佳材料。为此研究 CdTe薄膜的 制备工艺，对制取高质量的CdTe薄膜有着重要的 宽带隙半导体的物理特性和化学特性的研究在 现实意义 ]。不少科技工作者在这方面作了大量的 光伏技术中仍然是具有挑战性的课题。在这类半导 工作 ，但是迄今为止报道的CdTe薄膜大多是以沉 体中，以Ⅱ一Ⅵ族化合物最具代表性 。正如Ⅳ族材 积在 导 电膜 (如 CdS-glass衬底)上为 主。由于 料中的硅和Ⅲ一V族化合物中的GaAs一样 ，CdTe CdTe在玻璃衬底上 的晶核形成 比在涂上一层 CdS 是 Ⅱ一Ⅵ族化合物中的重要材料 ，cdTe具有 n型和 或 SnO。的玻璃衬底上更难 ]。所以对于沉积在玻 P型两种导电类型，而且两种载流子的迁移率都较 璃衬底上的CdTe薄膜的研究报道很少。本文利用 好。目前 ，CdTe已广泛地用于制备各种光探测器。 近空间升华法在经过不同打磨处理的玻璃衬底上制 由于 CdTe膜具有直接带隙结构 ，其光吸收系数 (对 备了CdTe薄膜 ；用测厚仪 ，扫描电镜 (SEM)，X射 波长小于吸收边的光)极大；厚度为 1．／tm 的薄膜， 线衍