用于BaF_2闪烁光慢成分抑制的膜系设计及制备.pdf

　第37卷第3期 原 子 能 科 学 技 术 Vol. 37 ,No. 3 　2003年5月 Atomic Energy Science and Technology May 2003 用于 Ba F 闪烁光慢成分抑制的膜系设计及制备 2 曹二华 ,吴永刚 ,顾 　牡 ,马晓辉 ,顾春时 ,陈玲燕 ( 同济大学 波耳固体物理研究所,上海　200092) 摘要 :利用 BaF2 闪烁光快、慢成分处于不同波段的性质 ,设计出了具有特定带隙的膜系结构 ,用于抑制 发射光谱中的慢成分。在保证快成分具有一定透过率条件下 ,实现了对BaF2 闪烁光慢成分的全方向抑 γ 制 ,使晶体的快慢比得到很大提高。从膜系 射线辐照损伤的结果可知 :辐照对膜系透射带和截止带的 影响不大 ,辐照后的膜系仍能满足抑制要求。 关键词 :金属介电膜系 ;BaF 闪烁晶体;快慢比 ;辐照损伤 2 中图分类号:O484. 41 ; TL812. 1 　　　文献标识码 :A 　　　文章编号 :(2003) Design and Fabrication of MetalDielectric Multilayers for the Suppression of Slow Scintillation Component of BaF 2 CAO Erhua , WU Yonggang , GU Mu , MA Xiaohui , GU Chunshi , CHEN Lingyan ( Pohl Institute of Solid S tate Physics , Tongji U niversity , S hanghai 200092 , China) Abstract : The fastest inorganic scintillators ———BaF2 has fast and slow scintillation compo nents. The intensity of the slow scintillation component is 4～6 times higher than that of fast one , so tremendous signal pileup is ineluctable under the condition of high counting rate. In order to enhance the fastslow ratio in the scintillation spectrum of BaF2 , a metaldielectric multilayer is designed and fabricated to suppress the slow scintillation component by taking full advantage of the propert y that the fast and slow components are in different wavelength regions. Th