Ru掺杂SnO2半导体固溶体的电子结构研究.pdfVIP

第 29卷第 12期 无 机 化 学 学 报 V01．29No．12 2013年 12月 CHINESEJOURNALOFINORGANICCHEMISTRY 2514—2520 Ru掺杂SnO2半导体固溶体的电子结构研究 解学佳 1 钟丽萍- 梁镇海 ，t 樊彩梅 - 韩培德 z (太原理工大学化学化工学院，太原 030024) 2太原理工大学材料科学与工程学院，太原 030024) 摘要 ：运用基于密度泛函理论 的第一性原理方法 ，建立了SnO：以及不 同比例 Ru掺杂的SnO：超胞模型，在对其进行几何优化 后计算了Sn叶Ru02(x=O，1／16，1／12，1，8，1／6，14／，1／2)半导体的电子结构 ，并讨论了其晶格参数、电荷密度、能带结构和态密度(包 括分态密度)等性质。结果表 明，掺杂后 ，晶格参数随掺杂量的增加线性减小，与实验值的偏差在 4％D2内；掺杂后 ，在费米能级处 可 以提供更 多的填充 电子 ，使得电子跃迁至导带更容易，固溶体 的导 电性增强 。为 Sn．Ru0：固溶体 电极材料的发展和应用提 供 了理论基础。 关键词 ：Ru掺杂 SnO：；第一性原理 ；半导体 固溶体 ；电子结构 中图分类号：0649．4 文献标识码 ：A 文章编号：100．4861(2013)12．251407 DOI：10．3969~．issn．1001—4861．2013．00．344 ElectronicStructuresofRu-DopedSnO2SemiconductorSolidSolutions XIEXue-Jia ZHONGLi—Ping LIANGZhen·Hai， FAN Cai—Mei HANPei-De (CollegeofChem~tryandChemicalEnneerin~TaiyuanUniversityofTechnology,Taiyuan030024，China) (CollegeofMaterialScienceandEngtneering,Tyuna UniversityofTechnoloyg,Taiyuan030024,China) Abstract：Ru—dopedSnO2semiconductoriSasignificantcomponentoftitanium basedoxideacid．resistantanode． Usingthefirst．principlemethodbasedon thedensityfunctionaltheory．crystalcellswerebuih．which include SnO2andvarietyproportionsofRu-dopedSn02，andelectronicstructuresofSn1R O2semiconductor =0，1／16， 1／12，1／8，1／6，1／4，1／2)werecalculatedaftergeometryoptimization．Latticeparameters，electrondensity，band sturcture，anddensityofstatesarediscussed．Theresultsshow thatthecorrespondinglatticeparametersreduce linearlywith compositionandtheerrorsbetweencalculatedandexperimentalvaluesofthatarewithin4％：in addition，thenumberofelectronsfilledatthebottom oftheconductionband increasesafterdoping resultingin