電晶體_場效電晶體.docVIP

PAGE PAGE 8 電晶體_場效電晶體 一、單選題　(?題 每題?分 共?分) ( ) 1. 有一個N通道JFET，若IDSS=9mA，VGS(off)=VP=－3V，則其轉換特性曲線公式為 (A)ID=0.009(1－)A (B)ID=0.009(VGS－3)2A (C)ID=0.009(1+)3A (D)ID=0.009(1+)2A。 ( ) 2. 下列敘述何者是錯誤的？ (A)二極體的逆向飽和電流隨著溫度的增加而增加 (B)在P型半導體中，電洞為少數載子，而自由電子為多數載子 (C)用三用電表可以量出電晶體是屬於NPN型或PNP型 (D)BJT電晶體是屬於雙極性元件而場效電晶體(FET)是屬於單極性元件 (E)外加逆向偏壓還未加到崩潰電壓之前，FET空乏區的寬度隨著外加逆向偏壓增加而加大。 ( ) 3. 下列對於場效電晶體(FET)的敘述何者是錯誤的？ (A)輸入阻抗相當高，所以閘極(Gate)與源極(Source)間可以說是開路(open) (B)接面場效電晶體(JFET)不需外加電壓即已經有通道存在 (C)所有類型的金氧半場效電晶體(MOSFET)都需外加電壓才會有通道存在 (D)P通道的MOSFET，其基體(substrate)是使用N型材質 (E)是屬於電壓控制元件。 ( ) 4. 一般大型BJT功率電晶體包裝外殼為電晶體的哪一極？ (A)射極 (B)基極 (C)集極 (D)沒有通用的規範。 ( ) 5. 下列何者為N通道接面場效電晶體(JFET)的電路符號？ ( ) 6. 有關A/D轉換器的敘述，下列何者正確？ (A)電壓信號轉換為電流信號 (B)電流信號轉換為電壓信號 (C)數位信號轉換為類比信號 (D)類比信號轉換為數位信號。 ( ) 7. 一般雙極接面電晶體(BJT)的摻雜(doping)濃度大小依序為 (A)BCE (B)BEC (C)ECB (D)EBC。 ( ) 8. 某N通道接面型場效應電晶體(JFET)之夾止電壓(pinch-off voltage)VP=–4V且源極電壓VS=0V，則下列何者可工作於飽和區？ (A)VG=–5V，VD=1V (B)VG=–2V，VD=1V (C)VG=0V，VD=0V (D)VG=0V，VD=5V。 ( ) 9. 下列金氧半場效應電晶體（MOSFET）元件之電路符號，何者不是N通道型式？ ( )10. 已知某電晶體之共基極（CB）電流增益α由0.99變為0.98，若此電晶體基極電流IB = 0.02mA，請問下列敘述何者錯誤？ (A)共射極（CE）電流增益β將會增加 (B)射極電流由2mA降為1mA (C)集極電流由1.98mA降為0.98mA (Ｄ)若想維持原來的集極電流，可增加基極電流。 ( )11. ( )12. 關於電晶體的結構與特性，下列敘述何者錯誤？ (A)含有之雜質量是射極高於集極 (B)PNP之主要載體為電洞 (C)NPN之主要載體為電子 (D)崩潰電壓集極接合面小於射極接合面。 ( )13. 下列敘述何者錯誤？ (A)NPN頻率特性高於PNP (B)PNP之頻率特性高於NPN (C)NPN之主要載體為電子 (D)PNP之主要載體為電洞。 ( )14. 電流放大因數α值通常在 (A)60%~70%之間 (B)80%~90%之間 (C)90%~99%之間 (D)比1大。 ( )15. 當一電晶體之射極電流由2mA改變至2.25mA時，集極電流由1.95mA改變至2.19mA，求該電晶體之α值=？ (A)0.96 (B)0.98 (C)1.00 (D)1.02。 ( )16. 電晶體工作在截止區時 (A)集極與射極接面皆為逆向偏壓 (B)集極與射極接面皆為順向偏壓 (C)集極接面為逆向偏壓，射極接面為順向偏壓 (D)以上皆可能。 ( )17. 電晶體符號上之箭頭是指 (A)射極上的電洞流 (B)集極上的電流 (C)集極上的電子流 (D)以上皆非。 ( )18. 一NPN電晶體共射極放大器，若IB=0.06mA、IE=6.06mA，則其β值為 (A)98 (B)99 (C)100 (D)101。 ( )19. 有一電晶體之集極電流為4.9mA，射極電流為5mA，求此電晶體之β值？ (A)29 (B)39 (C)19 (D)49。 ( )20. ICEO與ICBO的關係為 (A)ICBO=(1+β)ICEO (B)ICEO=(1+β)I