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新型非线性晶体材料LiAsSe2的电子结构与光学性质

物理化学学报(WuliHuaxueXuebao) 3052 ActaPhys.一Chim.Sin.,2010,26(11):3052-3060 November [Article] www.whxb.pku.edu.cn 新型非线性晶体材料 LiAsSe2的电子结构与光学性质 倪碧莲 1,2 周和根 姜俊全 李 奕 , 章永凡 (福州大学化学化72学院,福州 350108; 福建医科大学药学院基础化学系,福州 350108) 摘要: 采用基于赝势平面波基组的密度泛函理论方法,对非心结构/3一LiAsSe晶体的电子结构进行研究,并预 测其光学性质.计算结果表明,在线性光学性质方面,LiAsSe2在红外区域具有很高的双折射率(大于0.5),它对长 波长太阳光的吸收能力和光电转化效率要优于铜铟硒基半导体材料.对于非线性光学(NLO)性质,与AgGaSe相 比,LiAsSez在红外区具有很强的倍频(SHG)效应,静态倍频系数如约为836.5pm V·~,但它在红外区的透光性 不如AgGaSe.通过能带结构分析_口』知,体系的倍频效应主要来源于含有 Lj成分的部分价带与靠近导带底空带 之问的跃迁. 关键词: 密度泛函理论; 电子结构;光学性质;倍频效应;LiAsSe 中图分类号: O641;0647 ElectronicStructureandOpticalPropertiesoftheNovelNonlinear LiAsSe2Crystal NIBi—Lian ZHOUHe—Gen JIANGJun—Quan LIYi’ ZHANGYongF·an (CollegeofChemistr3andChemicalEngineering,FuzhouUniversity,Fuzhou 350108,P.R.China;2DepartmentofFundamental Chemist~CollegeofPharmacy,FujianMedicalUniversiyt,Fuzhou 350108,Jp.R.China) Abstract: W euseddensityfunctionaltheorybasedonthepseudo—potentialplanewavebasissettoinvestigatethe electronicstructureofthe口一LiAsSe2crystalwithanon—centrosymmetricstructureandtheopticalproperties.Our resultsindicatethatforthelinearopticalpropertiesthebirefringenceofLiAsSe2isverylarge(0.5)intheinrfaredregion. TheadsorptionabilityandphotoelectricconversionefficiencyoflongwavelengthsunlightofrLiAsSe2weFefoundto besuperiortothoseofCuInSe2.Regardingthenonlinearoptical(NLO)characteristics,LiAsSe2showedaverylargeNLO secondharmonicgeneration(SHG)responseintheinfraredregionandtheSHGcoefficient( )ofLiAsSe2isabout 836.5pm 。V .However,poortransmission oflightin the inrfa

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