ZrO2掺杂对氧化锌压敏陶瓷电性能的影响.pdfVIP

2016年12月 December，2016 第35卷第4期 e 内‰ 蒙印 古h 科m 技l|大时 学缸 学溉报眦 e 甜 V01．35，No．4 文章编号：2095—2295(2016)04—0392—05 DOI：10．16559／j．cnki．2095—2295，2016．04．020 Zr02掺杂对氧化锌压敏陶瓷电性能的影响4 何锦强，蔺家骏，刘文凤，李盛涛+ (西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，陕西西安710049) 关键词：ZnO压敏陶瓷，ZrO：，介电性能 中图分类号：TP242 文献标识码：A 摘要：ZnO压敏陶瓷由于其优异的jE线性P一，特性和大能量吸收能力，广泛应用于电子线路、器件和电力系统的 过电压保护中．本文将平均粒径为1Ixm的ZrO：颗粒掺杂进入ZnO压敏陶瓷，用以提高其抗热震性能．用部分溶液 法制备了掺杂z砌：质量分数为0．0％，0．5％，I．0％，1．5％的多元氧化锌压敏陶瓷，在l215(℃保温2 h烧结成瓷， 研究了ZrO：掺杂对ZnO压敏陶瓷显微结构、电性能和本征点缺陷浓度等方面的影响．EDS和XRD分析表明，ZrO， 主要作为第二相存在于晶界中，不与ZnO晶粒发生反应．SEM分析表明，随着ZrO：掺杂量的增加，平均晶粒尺寸逐 渐下降，这是由于ZrO!钉扎于晶界中，抑制了液相烧结过程中ZnO晶粒生长．介电谱研究表明ZrO，掺杂进入氧化 锌压敏陶瓷后，不会对本征缺陷能级产生影响，但会影响本征缺陷氧空位和锌填隙浓度．通过对一100oC下的介电 损耗谱进行拟合分峰，发现氧空位本征缺陷浓度被抑制，而锌填隙本征缺陷浓度增加．由于锌填隙缺陷是亚稳定缺 陷，在电场作用下易迁移，锌填隙浓度的增大不利于氧化锌压敏陶瓷的长期稳定性． Theeffectof onelectrical ofZnOvaristor doping ceramic Zr02 property HE Jin—qiang，LINJia-jun，LIUWen—feng，LI Sheng-tao hn of ElectricalInsulationandPower hn71 (XiJiaotongUniversity，StateKeyLaboratory 0049，China) Equipment，Xi varistor words：ZnO Key ceramic，Zr02，dielectricproperty varistorceramichasbeen inelectroniccircuitand fortransient because Abstract：ZnO widelyapplied powergrid overvoltageprotection ofitsexcellentnonlinearelectricalcharacteristicsand withstand