十六烷基三甲基溴化铵插层氧化石墨结构的分子模拟.pdfVIP

第 31卷第 3期 无 机 化 学 学 报 V01．3lNo．3 2015年 3月 CHINESEJOURNAL0FIN0RGANICCHEMISTRY 485．492 十六烷基三甲基溴化铵插层氧化石墨结构的分子模拟 赵二正 1 彭同江 1．2 孙红娟 1 刘 波 1姬广富 3 (西南科技大学固体废物处理与资源化教育部重点实验室，绵阳 621010) (西南科技大学分析测试 中心，绵阳 621010) (。中国工程物理研究院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理 国防重点实验室，绵阳 621900) 摘要 ：利用分子模拟方法研究了十六烷基三 甲基溴化铵(C6TAB)分子数对 C6TAB／GO插层复合物的结构变化 ，探讨 了C，6TAB 在 GO层间的排列方式 ，并通过实验数据进行验证。模拟结果表 明，优化后 GO结构模 型的层 间距为 0．849nm；C AB／GO插层 复合物 的层 间距随着 C AB分子数的增加呈 5个阶梯状逐渐增大，层 间距分别为 1．56、1．98、2．33、2．76和 3．40am，插层饱和时 C6TAB分子达到 28个 。实验结果显示 ，随着 C6TAB分子数的增加 ，C6TABG／O插层复合物的层间距逐渐增大，插层饱和时为 3．40nm，实验结果与模拟结果能够很好地吻合。C AB在 GO层 间可能的排列方式为 1～5层平躺排列或单层平躺、单层倾斜和 单层直立 ，从能量和结构的角度探 明了C AB在 GO层间的最优排列为 15层平躺排列 。 关键词 ：十六烷基三甲基溴化铵 ；氧化石墨；分子模拟 ；层间距 ；排列方式 中图分类号：O641 文献标识码：A 文章编号：1001—48612(015)03—0485—08 DOI：10．11862／CJIC．2015．081 M olecularSimulationofStructureofCetylTrimethylAmmonium BromideIntercalatedGraphiteOxide ZHAOEr—Zheng PENGTong-Jiang， SUNHong—Juan LIU Bo JIGuang—Fu (KeyLaboratoryofSolidWasteTreatmentandResourceRecycle，SouthwestUniversityof ScienceandTechnology,MinistryofEducation,Minaynag,Sichuan621010,China) (2CenterofAnalysisnadTest,SouthwestUniversityofSciencenadTechnoloyg,Mianyang,Sichuna 621010,China) f3NationalKeyLbaoratoryofShockWavenadDetonation ics，InstituteofFluidPhysics， ChinaAcademyofEngineeringPhysics，Mianynag,Sichuan621900,China) Abstract：The structure changesofC16TAB／GO intercalation compoundsaboutthenumberofcetyltrimethyl ammoniumbromide (Cl6TAB)molecules wereinvestigatedbymolecularsimulationmethod．Thearrangement modesofC16TAB moleculesin theinterlayerofGO werediscussed，andthesimulationresultswereverifiedby theexperimentaldata．Thesimulat