含双偶氮结构的聚合物的合成及其电存储性能研究.pdfVIP

第22卷第5期 化 学 研 究 与应 用 Vol22，No．5 2010年 5月 ChemicalResearchandApplication May，2010 文章编号：1004一I656(2010)05—0559—05 含双偶氮结构的聚合物的合成及其 电存储性能研究 吴 江，李娜君，夏雪伟，徐庆锋，葛健锋，王丽华，路建美 (江苏省有机合成重点实验室，苏州大学先进化学与生物材料创新团队， 苏州大学材料与化学化工学部，江苏 苏州 215123) 摘要：设计并合成了一个结构新颖的含有双偶氮结构的聚合物，通过核磁共振氢谱和元素分析等方法分别对 各个中间体、单体及其聚合物的结构进行了表征。以此双偶氮聚合物为中间层 ，分别以Al和ITO作为上电极 和下电极 ，进一步制备了三明治结构的M／I／M型 (AI／PBAzo／ITO)电存储器件。对器件的J。V特性曲线、存储 机理以及器件的稳定性分别进行 了研究。结果表明，由该偶氮聚合物所制备的器件为write．onceread．many． times(WORM)的存储类型，ON／OFF状态下电流比超过 10；分别在OFF和 ON的状态下埘器件施加一个大 小为-1．0V的连续电压 ，在200分钟内该器件都能保持 良好的稳定性。 关键词：双偶氮；聚合物；合成 ；电存储 中图分类号：O631．3 文献标识码：A Synthesisandtheelectronicmemoryeffectofanoveldiazo—containingpolymer WUJiang，LINa-jun，XIAXue—wei，XUQing—feng，GEJian-feng，WANGLi—hua，LUJian—mei‘ (KeyLaboratoryofOrganicSynthesisofJiangsuProvince，InnovativeResearchTeamofAdvancedChemicalandBiological Materials，CollegeofChemistry，ChemicalEngineeringandMateriMScience，SuzhooUniversity，Suzhou215123，China) Abstract：A novelbisazo—containingpolymerwasdesignedand synthesizedand characterizedby H‘ NMR．An electricmemory devicehaving theindium一n oxide(ITO)／PBAzo／／Alsandwich structurewasfabricated and itselectrical bistaI)ility Was investigatde．Theas·fbaricatedde~ceWas initiallyf0und tobeattheOFF stateand theswitchingthresholdvoltagewas ·1．6 V．AfterundergoingtheOFF—to·ONtransition，thedeviceremainshtehighconductingstate(ONstate)evenafterturningoffhte electricalpowernadappl~ngareversebias．Thedeviceexhibitsawrite—once·read—many．times(WORM)memoryeffectwithahigh ON／OFFcurrentratioofupto10’andalongretentiontimeabout200mininbothON andOFFstates．whichdemonstratedthathte syntheticbisazo—conatiningpolymerpossessahighpotentialtobecomepolymericmemory devices． Keywords：diazo；po lymer；synthesis；electronicmemoryeffect 信息技术的13益发展对信息材料的存储容量