多孔硅负载银纳米颗粒提高硅基MSM光电探测器性能的研究.pdfVIP

第35 卷第II 期 电子元件与材料 Vo1.35 No.11 2016 年 II 月 ELECTRONIC CO脚IPONENTS AND MATERIALS Nov.2016 多孔硅负载银纳米颗粒提高硅基MSM 光电探测器性能的研究 王继伟 l ， 2 ，陈海燕 l ，李东栋 l ，杨康l ，任伟2 ，陈小源l (1.中国科学院土海高等研究院薄膜光电工程技术研究中心，上海 201210; 2. 上海大学理学院物理系量子 与分子结构国际中心，上海 200444 ) 摘要:利用金属辅助刻蚀的方法在单晶硅片表面制备了多-l~盔，结果表明多孔硅农面纳米结构的陷光作用在宽 光谱范围内大幅提高了硅片的光吸收率. 将银纳米颗位负载到多孔硅表面，研究了其对硅基金属.半导体〈金属型光 电探测~ ( MSM-PDs ) 性能的影响.与基于硅片和多孔硅结构的 MSM-PDs 相比，基于多-l~主负载银纳米颗粒制备 的 MSM-PDs 在 420 nm 入射光照射条件下的光暗也导比以及光响应皮都有显著提高，这主妥得益于革lli1纳米结构 对暗也导的降低及光场中银纳米颗位的 LSPR 效应对光电导的提升作用. 关键词:多孔硅;银纳米颗位;光吸收率;局域表面等J电子体共振;光电探测器;金属辅助il! 蚀 doi : 10.14106/j.α由.1001-2028.20 1 6.1 1. 004 中图分类号: TN304 文献标识码:A 文章编号: 1001-2028 (2016) 11-0016-05 Porous silicon distributed by silver nanoparticles for performance enhancement of silicon-based MSM photodetectors 1 1 1 1 WANG Jiwei 1,l, CHEN Haiyan , LI Dongdong , YANG Kang REN Wee, CHAN Xiaoyua n ( 1. Research Center ofThín Fílm Opt出lectronic Engineering, Shanghaí Advanced Research Institute, Chinese Academy of Science, Shanghai 201210, China; 2. Physícs Department and Intemational Centre for Quantum and Molecular Strucnrres, Shanghaí UIÚversíty, Shanghai 20例44， China) Abstract: Porous sílícon (PS) was prepared by metal创sistedly etchíng the single crystal sílicon surface. Light absorbance ín the prepared PS ís sígníficant1y íncreased ín a broad spectral range due to líght trappíng effect by the :surface nanostrucωres. Effects of Ag nanoparticJes on the performance of porous sílicon based