室温成长ZnO压电薄膜应用於薄膜体声波濾波器.PDFVIP

室溫成長ZnO 壓電薄膜應用於薄膜體聲波濾波器 1 2 2 2 3 2 鄭建銓* 林瑞欽 蔡宗儒 張瑋才 高國陞 陳英忠 1 2 3 德霖技術學院電子工程系 中山大學電機工程系 樹德科技大學通訊工程系 (NSC96-2221-E-110 -057)( NSC 96-2221-E-366 -006)( NSC 96-2221-E-237 -002) 本研究採用白金與氧化鋅作為 FBAR(film bulk acoustic resonator, 薄膜體聲波共振器)之電極與壓 電層，並採用 T型階梯式電路，將 FBAR 共振器組合成帶通濾波器，T型階梯式濾波器的頻寬 控制是由串連及並聯共振器的頻率差所形成，並聯共振器的頻率調變係採用白金的厚度不同，造 成質量負載效應，進而改變其共振頻率。其頻率響應量測採用 HP8720 網路分析儀與 CASCADE 高頻探針座，濾波器中心頻率與 3-dB頻寬分別為 2353 MHz 與 76 MHZ 。 關鍵字： ZnO ，壓電，FBAR ，濾波器 1. 前言 隨著無線通訊頻寬的增加，促使更多高頻率與 ZnO 係採用室溫兩階段濺鍍法，首先沉積一層 低成本帶通濾波器之開發及研究，因此採用 FBAR 表面粗糙鍍低的緩衝層，第二階段使用高 C軸優選 (film bulk acoustic resonator, 薄膜體聲波共振器)組 的濺鍍參數，以獲得低表面粗糙鍍與高 C軸優選的 ZnO壓電薄膜， ZnO 兩階段濺鍍參數如表二所示。 合成的 FBARF(FBAR filter)近年來更是積極的被研 究，由於 FBARF 具有高的操作頻率，元件製程可 表二 ZnO 薄膜濺鍍參數表 以和積體電路製程整合，且使用的基板為 Si 基板， ZnO Parameters 成本元比 SAW (surface acoustic wav ，表面聲波)濾 1st-step 2nd-step 波器使用的單晶壓電基板還便宜；另外，更重要的 RF or DC power (W) 80 80 O2 /Ar+O2 or Ar (sccm) 75% 50% 是，其高頻特性，如插入損失、功率損耗與操作頻 Pressure (mTorr) 15 15 率等，皆比現階段常用的 SAW 濾波器更佳，未來 Temperature (℃) R. T. R. T. 是取代 SAW 濾波器重要的元件[1-3] 。 Thickness (nm) 100 700 壓電材料在 FBARF 元件中扮演關鍵的角色， Roughness (nm) 7.37 ZnO(氧化鋅 )具有高機電耦合係數與易於室溫下成 本研究採用 FESEM(filed emission scan electric 長的特性，因此常用於 FBAR的壓電層； C軸優選 microcopy ，Philips XL40 FESEM)場發射型掃瞄式 的