Si肖特基二极管直流及高频建模.pdf

! # 电 子 器 件 8-19 ! :-9 # 第 卷第 期 $#% $ ’()*+* ,-./)01 -2 31*45/-) 6*7(4*+ ;*= $#% 年 月 M8 )0’ KO ’#*/02 ( 1/ 1,%$$T6 M/’#3L E48 G.’+6).，,#$% 2’+6，9#$% H.+6，9#$% 2’+L (4+=.=*=: ( D.@A(:?:@=A(+.@，,.+6*’ 8+.I:A.=)，-:.J.+6 #K!，1.+’ ) !43$-),$ :D .)(2(*E P-E*1 (+ O/-O-+*E @ O(*4*Q(+* O0/0P*5*/ *U5/045(-) P*5’-E 2-/ -V( XV( V4’-55R@ E(-E*+ () VBN $ #I)P BWV O/-4*++ 0OO1(401* 5- -5’ 6 0)E d; 4’0/045*/(+5(4+= ;-/ 5’* 6 4’0/045*/(+5(4+，()5*/204(01 0//(*/ ()’-P-C*)*(5@ *22*45，’(C’ ()^*45(-) *22*45 0)E 5.))*1()C *22*45 0/* 4-)+(E*/*E *+(E*+ 5’*/P(-)(4 *P(++(-) *22*45= V.+5/05* O0/0+(5(4 *22*45 0)E P*501 O0/0+(5(4 *22*45 0/* +O*4(011@ 50R*) ()5- 044-.)5 () d; 4’0/045*/(+5(4+ -) 5’* 0+(+ -2 5’* 6 P-E*1= ’* 6 2(55()C *//-/ -2 5’* P-E*1 (+ #= $Ha，0)E 5’* 07*/0C* 2(55()C *//-/+ -2 40O04(50)4* 0)E /*+(+50)4* 4’0/045*/(+5(4+ 0/* /*+O*45(7*1@ I=#Ha 0)E $=$\a () 5’* Q’-1* 2/*b.*)4@ /0)C* (# FS‘ ] H% FS‘ )= - -./ R)-Q1*EC*，5’(+ (+ 2-/ 5’* 2(/+5 5(P* +.4’ 0 .)(2(*E P-E*1 2-/ -V( XV( V4’-55R@ E(-E* 4-)+(E*/()C 6 0)E d; 4’0/04X $ 5*/(+5(4+ 5-C*5’*/ Q(5’ 4-//*+O-)E()C *U5/045(-) O/-4*E./* (+ O/-O-+*E= 5#6 7-’3 :+4’-55R@ E(-E*+ ;6 0)E d; 4’0/045*/(+5(4+ ;O(*4*Q(+* O0/0P*5*/ *U5/045(-) ;O0/0+(5(4 *22*45 ++!88 :9:A=N ’/ :=?@A@BC/330==:D@E@=9=;===9 1/ L 肖特基二极管直流及高频建模 L ， ， ， 刘江宜 唐 杨 王 丁 王 燕 ( ， #K! ) 清华大学微纳电子系 北京 摘 要: ， VBN #I )P BWV -V( XV(