5-1 第五章 材料的形变与再结晶part.1 - 2015.ppt

形变过程： 晶体滑移?晶体转动?位向变化?取向因子变化 ?分切应力值变化 e. 多系滑移 Multiple slip 多系滑移： 外力下，滑移首先会发生在分切应力最大、且t≥ tc的滑移系－原始滑移系上。 但由于伴随晶体转动?空间位向变化?另一组原取向不利；滑移系逐渐转向比较有利的取向，从而开始滑移，形成两组（或多组）滑移系同时进行或交替进行，称为多系滑移。 名词解释 * 《材料科学基础》CAI课件-郭开元 * f. 滑移的位错机制 第3章提到：与实测值（约为1～10MPa）之间相差3～4个数量级。 根据刚性位移模型，理论剪切强度 (G一般为104～105MPa） 修正后的理论剪切强度?=G/30， 仍然偏大。 因为位错运动时，只要附近少数原子移动很小的距离（小于一个原子间距），因此所需的应力要比晶体作整体刚性位移时小得多。这样，借助于位错的运动就可实现晶体逐步滑移。 位错概念引入解决这一矛盾： * 《材料科学基础》CAI课件-郭开元 * P178 图5.13 位错中心能量的周期性变化 1、位错运动首先遇到点阵阻力——派.纳力(P-N force)： 对于简单立方d=b，?=0.35, 得到?P-N=2×10-4G，远小于理论剪切强度G/30. –––说明位错的滑移容易进行 P-N力与晶体结构和原子间作用力有关。