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微波晶体管放大器 前言 2 1. 场效应管和双极性晶体管模型 4 2．微波晶体管放大器三种增益 7 3．微波晶体管放大器稳定性的判断 10 4. 小信号放大器微波晶体管放大器的设计 14 1.双共扼匹配设计方法 17 2.功率增益和资用功率增益圆 19 3.噪声系数圆 22 4.等驻波比圆 24 5. 宽带放大器设计 26 1.频率补偿匹配网络 26 2.平衡放大器 29 3.负反馈电路 30 6.功率放大器 32 1.大功率放大器的几个重要的参数 32 2.微波晶体管功率放大器的设计 34 1.用管子大信号设计功率放大器 35 2.大信号S参数设计功率放大器 35 3.多级放大器 36 4.功率合成法 38 前言 放大器在硅双极型晶体管和砷化镓MESFET之间选择晶体管。相对增益、噪声系数和功率的比较如下表。在微波集成电路中，更常采用砷化镓MESFET，这是因为砷化镓MESFET放大器的增益较高、输出功率较大、噪声系数较低。较高的增益是由于电子的迁移率较高（与硅相比）造成的；输出功率的改善则是电场较高和电子的饱和漂移速度较高的结果；噪声系数较低的部分原因是由于电子载流子的迁移率较高造成的。而且，与双极型晶体管相比，在FET中存在噪声源较少（没有散弹噪声）。与硅双极型晶体管相比，砷化镓主要的缺点是1/f噪声较高。在微波频率的低端，即2GHz-4GHz，由于晶体管价格较低，而且砷化镓MESFET不易实现阻抗匹配（在频率较低时其模接近于1），低噪声系数的优势不明显，因此多采用双极型晶体管。场效应管主要用于5—10GHz混合和单片电路中，具有高增益和低噪声的特性。 近几年主要采用高电子迁移率管（HEMT High Electron Mobility/Transistor）或异质结管（HBT Heterojunction bipolar Transistor）。HEMT不仅可获得超高频（12G以上）、超高速，还具有低噪声。HEMT是平面结构，而HBT是非平面结构，工艺上比HEMT难度大。 微波晶体管之间噪声和增益之间的比较 根据微波晶体管按其本身的特点可以分为：低噪声放大器，宽带放大器和大功率放大器。 低噪声放大器(LNA)：主要用来对微弱的微波通信信号进行低噪声放大以提高接收机的接收灵敏度广泛应用于移动通信、雷达、电子对抗及遥控遥测系统接收机的前端其性能好坏直接影响到整个接收系统的性能因此，低噪声放大器的设计是通信接收机设计的关键主要特点是噪声系数低，线性好，动态大在微波晶体管或一般频段晶体管的多级低噪声放大器的设计中，通常应用的原理是将低噪声系数与低电压驻波比作为第一级的主要技术性能进行设计，而第二、三和以后几级则按平坦的增益特性和最大功率增益等性能进行设计。这种设计方法即可以使放大器具有低噪声和低电压驻波比，对可以使其具有所要求的平坦的增益特性和一定的功率增益。/输出驻波比（VSWR）：放大器通常设计或用于50Ω阻抗的微波系统中,输入/输出驻波表示放大器输入端阻抗和输出端阻抗与系统要求阻抗(50Ω)的匹配程度。用下式表示：VSWR=（1+|Γ|）/（1-|Γ|）；其中Γ=（Z-Z0）/（Z+Z0）VSWR：输入输电压出驻波比Γ：反射系数Z：放大器输入或输出端的实际阻抗ZO：需要的系统阻抗噪声系数表征了一个微波器件对其放大信号噪声劣化程度 (a)GaAs FET的截面图 （b）漏极，栅极和源极的俯橄图 MESFET应用于放大器时，几乎都采用共源极接法．共源极小信号管芯等效电路如图所示．图中为场效应管的跨导；为漏极与源极之间的沟道电导；为源栅电容；为漏栅电容；为沟道电阻。外部寄生元件有源极电阻、栅极电阻，漏极电阻和衬底电容等，其中和是影响管子热噪声性的主要参数。 1-1 MESFET的等效电路 特征频率是场效应晶体管的重要参数，它表示共源电路短路电流增益：时的频率。可以近似表示为： 由式可见：为提高特征频率，必须加大管子的跨导、减小源栅之间的分布电容，可缩短栅长减小。为此，微波场效应管都制作成短栅的。 2）双极性晶体管 在微波双极性晶体管放大器中，大多采用共发射极电路。因为这种电路的功率增益高，稳定性较好，尤其是它的输入阻抗和输出阻抗比较接近于常用的传输线特性阻抗，容易进行匹配。但在宽带放大器和振荡器中，有时也采用共基极电路。 (a)硅双极性晶体管的截面图 （b）基极和发射极的俯橄图 微波双极晶体管管芯的共发射极小信号等效电路如图所示。图中，表示发射结势垒电容；表示扩散电容；表示发射结电阻；表示基极电阻；表示集电极接触电阻和体电阻；表示集电极电容；表示集电结—发射结的电流放大系数。 1-2 微波双极晶体管管芯共发射极小信号等效电路 特