实验二半导体存储器原理实验(信软).ppt

计算机组成原理实验 */25 一、实验目的 三、实验原理 四、实验连线 五、实验步骤 实验二 存储器实验 二、实验设备 */25 一、实验目的 掌握半导体RAM 6264的特性和使用方法。 掌握6264存储器的读写方法。 按给定数据，完成实验指导书中的存储器读写操作。 */25 二、实验设备（平台）DVCC实验机平面图 */25 三、实验原理 */25 RAM 6264芯片外特性 工作 方式 I/O 输入（控制） DI DO /OE /WE /CS 非选择 X HIGH-Z X X H 读出 HIGH-Z DO L H L 写入 DI HIGH-Z H L L 写入 DI HIGH-Z L L L 选择 X HIGH-Z H H L 6264功能表 存储器实验电路原理图(图3-5) 数据输入三态缓冲器门控信号 SWB（0有效） */25 AR 地址A0～A7有效 可寻址256个单元 8Kx8 数据总线挂在外部数据总线EXD0 ～ EXD7 8位地址由AR给出 地址值由LAD0-7显示 输入数据由8位数据开关KD0 ～ KD7提供 三态门和外部总线相连 外总线与内总线相连 读出数据由LZD0-7显示 地址锁存AR控制信号 LDAR （1有效） 存储器片选信号CE’ （0有效） 存储器写信号WE（1有效） 存储器读信号WE（0有效） 地址锁存AR和数据写入6264脉冲信号 T3 四、实验连线 仔细查看试验箱，按以下步骤连线 1） MBUS连BUS2 2) EXJ1连BUS3 3)跳线器J22的T3连TS3 4)跳线器J16的SP连H23（拨在右边） 5)跳线器SWB、CE、WE、LDAR拨在左边 6)开关“运行控制”拨在“运行” 7)开关“运行方式”拨在“单步” 8)开关“总清”拨在“1”（无效状态） */25 四、实验连线-未连线 */25 四、实验连线-MBUS连BUS2/BUS6 */25 四、实验连线- EXJ1连BUS3 */25 四、实验连线-跳线器J22的T3连TS3 J22的T3连TS3 */25 四、实验连线-跳线器J16的SP连H23 J16的SP连H23 */25 SWB、CE、WE、LDAR四个跳线器拨在左边 SWB跳线拨左边 */25 CE跳线拨左边 WE跳线拨左边 LDAR跳线拨左边 三个开关 运行控制拨“运行” */25 运行方式拨“单步” 总清拨“单步” 四、实验连线-连线及跳线完毕 */25 五、实验步骤 连接线路，仔细检查核对后接通电源。 用二进制数据开关KD0-KD7向地址寄存器AR写入8位地址。 用二进制数据开关KD0-KD7向6424的存储单元写入8位数据。（写数据） 重复第2步（将地址送入AR准备读数据）。 从存储单元读出数据并验证。 填写实验报告表3-2、表3-3中的空白数据。 */25 */25 步骤2. 8位地址的写入 调拨8位开关KD0-KD700H） ，准备向AR送地址。 三态缓冲器门控信号 SWB=0（打开）。 地址寄存器AR控制信号LDAR=1（打开）。 存储器片选信号CE’= 1(片选无效） 打入脉冲信号T3 ，将地址00H置入AR。 */25 步骤2. 8位地址的写入(00H) 打开三态门控制信号SWB=0 通过8位开关 KD0-KD7输入00H 按下“复位”键 发出总清信号 打开AR控制信号LDAR=1 关闭片选信号 CE’=1 打入脉冲信号T3 LAD0-LAD7 显示输入地址00H */25 步骤3.8位数据的写入 调拨8位开关KD0-KD711H） ，准备向AR送地址。 数据输入三态缓冲器门控信号SWB=0（打开）； 地址寄存器AR控制信号LDAR=0（关闭）。 存储器片选信号CE’= 0（片选有效） 存储器写信号WE=1 (写数据） 打入脉冲信号T3 ，将数据11H置入存储器中的指定单元。 */25 步骤3. 8位数据的写入(11H) 打开三态门控制信号SWB=0 通过8位开关 KD0-KD7输入11H 关闭AR控制信号LDAR=0 打开片选信号 CE’=0 打入脉冲信号T3 存储器写信号 WE=1（写） */25 步骤4.向AR送入00H地址 重复步骤2（不要发“复位”信号）。 将00H地址送入AR，准备从该单元读出先前写入数据。 */25 步骤4. 再次向AR写入8位地址 (00H) 打开三态门控制信号SWB=0 通过8位开关 KD0-KD7输入00H 打开AR控制信号LDAR=1 关闭片选信号 CE’=1 打入脉冲信号T3 */25 步骤5.读出存储器00H地址中的数据 数据输入三态缓冲器门控信号SWB=1（关闭）； 地址寄存器AR控制信号LDAR=0（关闭）。 存储器片选信号CE’= 0（片选有效） 存储