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天科合达2英寸SiC晶片产品标准
天科合达2英寸SiC晶片产品标准
2inchdiameter SiliconCarbide(SiC) Substrate Specification
工业级 研究级 试片级
等级Grade
Production ResearchGrade Dummy Grade
直径 Diameter 50.8mm±0.38mm
厚度 Thickness 330 μm±25μm
晶片方向 Wafer Orientation On axis :0001±0.5°for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI Offaxis :4.0°toward 1120±0.5°for4H-N/4H-SI
微管密度 MicropipeDensity ≤5cm-2 ≤15cm-2 ≤50cm-2
4H-N 0.015~0.028Ω·cm
电阻率 Resistivity 6H-N 0.02~0.1Ω·cm
4/6H-SI 1E5Ω·cm (90%)1E5Ω·cm
主定位边方向 Primary Flat {10-10}±5.0°
主定位边长度 Primary Flat Length 15.9mm±1.7mm
次定位边长度 SecondaryFlat Length 8.0mm±1.7mm
次定位边方向 SecondaryFlat Orientation Silicon faceup:90°CW.from Prime flat±5.0°
边缘 Edge exclusion 1mm
15μm/ 25μm/ 25μm
总厚度变化/弯曲度/翘曲度TTV/Bow/Warp ≤ ≤ ≤
Polish Ra≤1nm
表面粗糙度 Roughness
CMP Ra≤0.5nm
裂纹(强光灯观测)#
None None 1allowed, ≤1mm
Cracksbyhigh intensity light
六方空洞 （强光灯观测）*
Cumulativearea 1% Cumulativearea 1% Cumulativearea 3%
≤ ≤ ≤
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