新型光电材料.pptx

肖特基结光电材料;1) p-n结光伏器件。将传统的p-n结构引入到硅纳米结构中可以充分利用硅纳米结构优异的陷光能力，提升器件光伏性能。 2) 结构肖特基结光伏器件。利用碳纳米管薄膜或者石墨烯与硅纳米结构形成的肖特基结光伏器件，利用碳纳米管薄膜或石墨烯的高透明性，保证大部分的入射光照射到肖特基结区，提升器件光伏性能 3 )硅纳米结构/有机物杂化光伏器件。利用二者不同的光吸收特性，通过调控界面的能带匹配来改善光生电子和空穴的传输特性，因而对构建高性能光伏器件至关重要。 4)硅纳米结构光电化学光伏器件。使用价格低廉的多晶、非晶或薄膜材料制备光电极，且其中的液体结界面势垒是自然形成的，制备工艺简单，降低光伏器件的成本 ;1 硅表面存在大量的悬挂键和缺陷，表面态是载流子的复合中心。比表面积大因而表面有较高的载流子复合速率，光生电流速率强。 2 石墨烯具有极高的载流子迁移率和导电性能，但制备石墨烯薄膜中存在晶界和缺陷，在器件的复合中引入杂质，降低石墨烯的导电性能，致光伏器件较大的串联电阻，降低器件填充因子和光生电流。 3 石墨烯和硅之间的肖特基势垒只有0.6-0.7 eV，传统硅p-n结光伏器件的1.12 eV。调节石墨烯的功函数来改善。较低的肖特基势垒会引起较大的泄露电流，导致器件性能的降低。 4 石墨烯/硅纳米线阵列结构中，有效结区面积较小，不利于光生载流子的充分分离，不利于构建高性能光伏器件。 寻求合适的材料与硅纳米结构形成异质结, 利用不同材料之间的能带匹配关系，保证对太阳光的能量的吸收利用。; 简单的金属与半导体的交界面，它与P--N结相似，具有非线性阻抗特性(整流特性)。1938年德国的W.H.肖特基提出理论模型， 基本原理： 半导体的逸出功一般比金属的小，当金属与半导体（以N型为例）接触时,电子从半导体流入金属，在半导体表面层内形成一个由带正电不可移动的杂质离子组成的空间电荷区[ 肖特基结];在界面处半导体的能带弯曲，形成一个高势能区，称之肖特基势垒。电子必须高于势垒的能量才能越过势垒流入金属。当平衡时，肖特基势垒的高度是金属和半导体的逸出功的差值。 ①不同金属与不同种类的半导体接触时，具有不同的肖特基势垒高度。②势垒高度随外加电压变化。当金属接正电压时,空间电荷区中的电场减小,势垒降低，载流子易通过；反之则反。具有单向导电的整流特性。与P--N结相比，肖特基结电流输运是对多数载流子起主要作用，但电荷储存效应小，反向恢复时间很短。③肖特基结的电流-电压和电容-电压特性与PN结的相似。;通常用蒸发、溅射、电镀等方法在洁净的半导体表面上淀积一层纯金属膜，制备面接触肖特基结。进行热处理。迁移率较高的N型半导体材料制造,得到较小的串联电阻。 用于制作各种微波二极管，如利用正向电流－电压的非线性制成的变阻管，可用于微波检波和混频；利用正向低导通特性制成箝位管；利用反向偏置势垒特性可制成雪崩二极管、光敏管等；利用反向电容－电压特性制成变容二极管，如砷化镓肖特基变容管用于参量放大器、电调谐等。1966年研制成用肖特基势垒作栅极的砷化镓MES场效应管,具有 性能优良的微波低噪声晶体管、微波高速开关管和微波功率晶体管。利用肖特基结还可制成单片微波集成电路和单片超高速数字集成电路等。;