第7章-外延.pptVIP

第七章 外 延 外延的基本概念 1 定义 外延（epitaxy-取向附生, 外延附生），源自于希腊语，意思是“在······上排列”。 在集成电路工艺中，外延是指在单晶衬底（如硅片）上、按衬底晶向生长单晶薄膜的工艺过程。 从广义上来说，外延也是一种化学气相沉积（CVD）工艺。 外延片（导电类型、电阻率、厚度） 2 外延分类 ① 在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺称为正向外延。 ② 反之，在高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺则称为反向外延。 ③如果生长的外延层和衬底是同一种材料，这种工艺称为同质外延。 ④ 如果外延生长的薄膜材料与衬底材料不同，或者说生长的化学组分、甚至物理结构与衬底完全不同的外延层，相应工艺就叫异质外延。（晶格失配） 3 外延生长类型 根据向衬底输送原子的方式可以把外延分为： ①气相外延（Vapor Phase Epitaxy -VPE） ②液相外延（Liquid Phase Epitaxy -LPE） ③固相外延（Solid Phase Epitaxy -SPE） 因为气相外延技术成熟，能很好的控制薄膜的厚度、杂质浓度和晶体的完整性，在硅工艺中一直占据主导