第4章半导体器件的基本特性2.ppt

4.3 半导体晶体管 恒流区 击穿区 可变电阻区 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 0 1 2 3 2 4 6 UGS / V UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA 夹断区 N沟道增强型MOS管 4.3 半导体晶体管 制造时,在sio2绝缘层中掺入大量的正离子,即使uGS =0，在正离子的作用下，源-漏之间也存在导电沟道。只要加正向uDS ，就会产生iD。 结构示意图 P 源极S 漏极D 栅极G B N+ N+ 正离子 反型层 SiO2 只有当uGS小于某一值时，才会使导电沟道消失，此时的uGS称为夹断电压uGS(off) 。 N沟道耗尽型MOS管 4.3 半导体晶体管 N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 4 3 2 1 0 4 8 12 UGS =1V –2V –3V 输出特性 转移特性 1 2 3 0V –1 0 1 2 –1 –2 –3 uGS / V ?ID ?UGS UGs(off) uDS / V UDS =10V iD/mA iD/mA N沟道耗尽型MOS管 4.3 半导体晶体管 d N沟道符号 B s g P沟道符号 d B s g d B s g N沟道符号 d B s g P沟道符号 耗尽型MOS管符号 增强型MOS管符号 N沟道耗尽型MO