第8章光电式传感器B.ppt

* 第8章 光电式传感器B 8.2 固态图像传感器 　高集成度半导体光敏传感器。 　三大类： 　　电荷耦合器件（CCD） 　　MOS型图像传感器（CMOS） 　　电荷注入器件（CID） 8.2.1 电荷耦合器件（CCD） 　特点：光电转换功能、信息存储功能、延时功能、集成度高、功耗小。 　作用：数码相机、数码摄像机、扫描仪等作为图像传感器。 　电荷耦合器件（Charge Couple Device, 缩写为CCD）是一种大规模金属氧化物半导体（MOS）集成电路光电器件。 1. MOS光敏元的结构及原理 　MOS光敏元的结构（MOS电容） 图8-24 MOS光敏元的结构 （a）MOS光敏元截面 （b）势阱图 　电荷存储原理：栅极加正（负）电压――半导体中形成势阱――易于俘获电子（空穴） 　成像原理：内光电效应――电子落入势并存储（光生电荷）――电子数与光强成正比。 2. 电荷转移原理 电子向深势阱转移（VG2＞VG1） 3. CCD的工作原理 　三相脉冲：相间依次相差120O，上升陡峭、线性下降的脉冲波形。 　电荷转移：脉冲作用下势阱深度发生变化，电荷移动。 图8-26 CCD输出端结构 　　电荷输出：在CCD阵列的末端衬底上制作一个输出二极管，当输出二极管加上反向偏压时，转移到终端的电荷在时钟脉冲作用下移向输出二极管，被二极管的PN结所收集，在负载RL上就形成脉