第4章常用半导体器件.pptVIP

三极管的制作工艺要求： 三极管的内部结构在制造工艺上的特点如下： （1）发射区的掺杂浓度远大于集电区的掺杂浓度； （2）基区很薄，一般为1μm至几μm； （3）集电结面积大于发射结面积。 三极管的分类：三极管按材料不同分为硅管和锗管。目前我国制造的硅管多为NPN型，锗管多为PNP型。不论是硅管还是锗管，NPN管还是PNP管，它们的基本工作原理是相同的。本结主要讨论NPN管。 4.3.2 三极管的电流放大原理 三极管的三种工作状态：通过改变加在三极管三个极上的电压可以改变其两个PN结的偏置电压，从而使三极管有三种工作状态：（1）当发射结和集电结均反偏时，处于截止状态；（2）当发射结正偏、集电结反偏时，处于放大状态；（3）当发射结和集电结均正偏时，处于饱和状态。 下面以NPN型三极管为例分析其电流放大原理。 1. 三极管内部载流子的运动 图4-19所示电路中，当电源电压VCC＞VBB且RB＞RC时，能保证发射结正偏、集电结反偏，即保证三极管处于放大状态。三极管的电流放大作用是通过其内部载流子的运动形成的。载流子的运动有以下三个过程： 图4-19 （1）发射区向基区注入电子 由于发射结正向偏置，载流子的运动主要以多子的扩散运动为主。发射区的多子（电子）不断通过发射结扩散到基区，基区的多子（空穴）也通过发射结扩